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[发明专利]半导体器件以及输入信号控制方法-CN202310374646.5在审
发明人：石岛航 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：本公开的一个或多个实施例涉及一种半导体器件以及输入信号控制方法。即使当输入噪声出现时，也要避免输入电路滞后特性的劣化。输入端子侧的输入‑输出电路和输入‑输出电路的输出端子侧，在相邻输出端子的输出切换时，输入电路的输出掩蔽输入电路的输入端子侧的输入，以保持先前值。
半导体器件以及输入信号控制方法

[发明专利]可切换工作点的高性能施密特触发器及切换工作点方法-CN202011614038.X有效
发明人：刘天奇;蔡小五;杨广文;甘霖;李博 -专利权人：国家超级计算无锡中心
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：本发明提供的可切换工作点的高性能施密特触发器，涉及半导体集成电路设计领域，包括正向阈值调节模块、负向阈值调节模块和选通信息号模块，通过选通信号模块，能够在两种工作点之间的切换，既能够保证电路的多信号兼容能力，也能够保证在各个工作点保持良好的抗干噪声扰能力。
切换工作性能施密特触发器方法

[发明专利]基于铁电晶体管的施密特触发器及多谐振荡器-CN202210142851.4在审
发明人：任天令;赵瑞婷;鲁添;刘厚方;赵晓玥;邵明昊;杨轶;伍晓明 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：本发明提供一种基于铁电晶体管的施密特触发器及多谐振荡器，该触发器包括：构成CMOS反相器的第一元件和第二元件，两元件分别为n型铁电晶体管和p型晶体管，源极分别接地与VDD，或者两元件分别为p型铁电晶体管和n型晶体管，源极分别接VDD与地；两元件的栅极相连作为输入，漏极相连作为输出；或者，第一元件和第二元件构成伪NMOS反相器，其中，第一元件为n型铁电晶体管，第二元件为负载，第一元件通过负载连接至VDD端，第一元件的源极接地，栅极与漏极分别作为输入和输出。该触发器电路结构简单，仅仅通过两个元件便可实现施密特触发器功能，面积小，功耗低。同时减少制备加工工艺难度，减少加工成本，综合性能优越。
基于晶体管施密特触发器多谐振荡器

[发明专利]施密特触发反相器电路-CN201811466959.9有效
发明人：齐藤功 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：本发明提供一种施密特触发反相器电路，抑制施密特触发反相器电路中的贯通电流的产生。施密特触发反相器电路(SINVa)具备：CMOS反相器(CI)，其输入及输出分别与所述施密特触发反相器电路的输入及输出连接；第一晶体管(MN3)，其栅极与所述CMOS反相器的输出连接；以及第一限流元件(DEP1)，其与所述第一晶体管串联连接。
施密特触发反相器电路

[实用新型]一种高压高频交变电场信号发生装置-CN202320110320.7有效
发明人：汪漫;郝正奇;周天宏;孔华锋;张一枫;张锦涛 -专利权人：武汉商学院
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：一种高压高频交变电场信号发生装置，包括：壳体、信号发生电路板及两个信号接口。信号发生电路板用于产生电压在0‑2000V之间、频率在0.5‑10MHz之间的交变电场信号，壳体为导电金属制成的信号封闭盒，信号发生电路板固定设置于壳体内，两个信号接口均开设于壳体1的侧部，信号发生电路板上设置有可编程数字逻辑器件、驱动器、耦合器、功率放大器及升压线圈。本设计不仅可以通过数字模块与模拟模块配合，实现幅值高且稳定的射频周期振荡信号的输出，同时有效减小系统的体积功耗，而且通过调整可编程数字逻辑器件中的可调电阻，使方波信号频率与第二升压线圈谐振频率一致，有效提高了系统输出交变信号的幅度。
一种高压高频交变电场信号发生装置

[实用新型]一种光传感器的施密特触发器电路-CN202320616136.X有效
发明人：桑田;杨柳 -专利权人：美芯晟科技（北京）股份有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：本申请提供一种光传感器的施密特触发器电路，在触发器电路的第一PMOS管的源极连接了第一降压PMOS管，使第一PMOS管消耗第一降压PMOS管的阈值电压大小的电压，第一PMOS管的栅源电压差减小，在VDD–Vth_m0‑Vth_m1VinVDD–Vth_m1范围内也不会产生漏电，Vth_m0为第一降压PMOS管的阈值电压，Vth_m1为第一PMOS管的阈值电压。同时，由于PMOS管的栅源电压的减小，施密特触发器的负向阈值电压也随之降低，从而在一定低压范围内，能够避免出现负向阈值电压太高导致输出信号无法识别逻辑1或错误识别逻辑0的情形。
一种传感器施密特触发器电路

[发明专利]用于解决CMOS反相器启动过程中嵌套控制的逻辑电路-CN202310316601.2在审
发明人：马学龙 -专利权人：江苏润石科技有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：本发明公开用于解决CMOS反相器启动过程中嵌套控制的逻辑电路，属于基本电子电路的技术领域。该逻辑电路包括：施密特触发单元、缓冲单元、比较单元，在参考电压不满足CMOS反相器启动条件时由电源电压使能反相器，而在参考电压满足反相器启动条件时通过比较参考电压和施密特触发单元翻转电压选择反相器使能信号，实现降低CMOS反相器输入高电平的最小值VIH和直通电流ΔICC的目的。
用于解决 cmos 反相器启动过程嵌套控制逻辑电路

[发明专利]施密特电路-CN202211274068.X在审
发明人：菅野纯一;今井靖 -专利权人：艾普凌科株式会社
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：本发明提供一种施密特电路，即便在连接于未取得阻抗匹配的通信总线而在输入信号叠加有反射噪声的情况下，施密特电路的输出也不产生颤动。本发明的施密特电路包括第一信号检测电路、第二信号检测电路、锁存器电路、选择信号生成电路、第一输入端子及第一输出端子，第一信号检测电路连接于第一输入端子、锁存器电路及选择信号生成电路，第二信号检测电路连接于第一输入端子、锁存器电路及选择信号生成电路，锁存器电路连接于选择信号生成电路和输出端子，选择信号生成电路具有延迟电路。
施密特电路

[发明专利]施密特触发器-CN202111508179.8在审
发明人：张涛 -专利权人：华大半导体有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：本发明提供了一种施密特触发器，包括：输入电路，被配置为根据输入电压生成转换电位，并将转换电位提供至转换电路；转换电路，被配置为根据转换电位生成用于输出电路的输出电压，所述转换电路包括：第一转换晶体管和第二转换晶体管，被配置为根据转换电位向输出电路提供输出电压；第一防闩锁晶体管，连接在第一转换晶体管和地之间；以及第二防闩锁晶体管，连接在第二转换晶体管和电源电压之间；以及输出电路，被配置为根据输出电压输出最终输出电位值。
施密特触发器

[实用新型]一种施密特触发电路及振荡电路-CN202320001524.7有效
发明人：孙占龙;梁佩俊 -专利权人：深圳市美矽微半导体有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种施密特触发电路及振荡电路,包含触发电路U1，包含PMOS管与NMOS管，所述的PMOS管包含第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4与第五PMOS管MP5，所述的NMOS管包含第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4与第五NMOS管MN5，本实用新型中的施密特触发电路包含具有温度与电压补偿作用的电路结构，此电路结构可以大幅减少振荡电路在不同工作温度与工作电压下输出的频率偏差，本实用新型能够满足对频率精度要求较高的应用场景。
一种施密特触发电路振荡

[发明专利]具有上拉晶体管的施密特触发器-CN202211136218.0在审
发明人： M·K·提瓦里;S·M·I·里兹维 -专利权人：意法半导体国际有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及具有上拉晶体管的施密特触发器。一种集成电路包括输入焊盘和耦接到输入焊盘的施密特触发器。施密特触发器包括第一反相器和第二反相器。施密特触发器包括上拉晶体管，其耦接到第二反相器的输入并被配置为向第二反相器的输入供应高参考电压。
具有晶体管施密特触发器

[发明专利]一种高压集成电路-CN202211502756.7有效
发明人：冯宇翔;左安超;华庆 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压集成电路，其包括依次连接的信号输入端、第一施密特电路、滤波器、电平转换电路、温控脉冲电路、高侧驱动电路以及信号输出端；所述温控脉冲电路包括分别与所述电平转换电路的输出端连接的第一单脉冲GEN电路和第二单脉冲GEN电路、连接至所述第一单脉冲GEN电路的第一温控电路以及连接至所述第二单脉冲GEN电路的第二温控电路。本发明可以在高压集成电路的内部温度过高时，将信号输入端输入的信号拉低，以使高压集成电路停止工作，从而避免高压集成电路的温度逐渐升高，最终导致高压集成电路失效的问题。
一种高压集成电路

[发明专利]施密特触发器-CN202211459959.2在审
发明人：宋健;周健;张利地 -专利权人：圣邦微电子（北京）股份有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：本公开的实施例提供一种施密特触发器。该施密特触发器包括：第一级反相电路、滞回电路、第二级反相电路，其中，第一级反相电路接收输入电压，被配置为在第一级反相电路中的上拉管和下拉管之间接入第一恒流模块来控制流入下拉管的电流；滞回电路耦接在第一级反相电路和输出端之间作为第一级反相电路的滞回支路，被配置为第二恒流模块串接滞回管来控制流入下拉管的电流，输出端进行输出电压的输出；第二级反相电路耦接在第一级反相电路和输出端之间，被配置为对第一级反相电路的输出信号整形。解决了施密特触发器的正负向阈值的稳定性会受电源电压的影响的问题。
施密特触发器

[发明专利]施密特触发器电路及相关的电子电路和电子设备-CN202211385133.6在审
发明人：王飞;郑鲲鲲 -专利权人：广东鸿翼芯汽车电子科技有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：本发明提供了一种施密特触发器电路及相关电子电路和电子设备，其中施密特触发器电路，包括电压输入端、迟滞电平产生电路单元、翻转电路单元以及反相电路单元；所述翻转电路单元，具有固定的上升翻转电压和固定的下降翻转电压，当所述翻转电路单元接入的电压先高于上升翻转电压再低于下降翻转电压时，所述翻转电路单元的输出端电平从低到高再从高到低二次翻转；所述迟滞电平产生电路单元，用于当所述翻转电路单元接入的电压超过上升翻转电压时，产生一迟滞电流作用于所述翻转电路单元，产生电压迟滞；所述反相电路单元，用于对所述翻转电路单元的输出端电平取反。本发明设计的电路可兼顾上升和下降翻转电压的固定和生产成本。
施密特触发器电路相关电子电路电子设备

[发明专利]施密特触发器、芯片及电子设备-CN202211139836.0在审
发明人：张峰;张龙;赵以诚;马春宇 -专利权人：中国科学院自动化研究所
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：本发明提供一种施密特触发器、芯片及电子设备，该施密特触发器包括：选通控制电路、电阻R1、电阻R2和电阻R3、电压比较电路和电压反相电路；电阻R1和电阻R2之间输出正向阈值电压，电阻R2和电阻R3之间输出负向阈值电压，选通控制电路向电压比较电路提供正向阈值电压或者负向阈值电压；电压比较电路基于输入信号和正向阈值电压(或负向阈值电压)，得到输出信号；电压反相电路基于输出信号得到矩阵脉冲信号。本发明提供一种施密特触发器、芯片及电子设备能够用于提高施密特触发器输出的矩形脉冲信号的准确性。
施密特触发器芯片电子设备

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