[实用新型]晶体管和半导体装置

摘要

本实用新型涉及晶体管和半导体装置。一个技术问题是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。在一个实施方案中，半导体装置形成为包括延伸至下伏于半导体材料的第一区域的半导体材料的第一部分中的栅极结构。栅极结构将第一区域的一部分分为至少第一载流电极区域和第二载流电极区域。半导体材料的第一部分被构造来形成下伏于栅极结构的栅极导体的晶体管的沟道区域。栅极结构还包括屏蔽导体，屏蔽导体上覆于栅极导体且具有定位在屏蔽导体与栅极导体之间的屏蔽绝缘体。屏蔽绝缘体还具有定位在屏蔽导体与栅极绝缘体的第二部分之间的第二部分和上覆于屏蔽导体的第三部分。根据本实用新型的方面，可以促进高频操作及改进切换频率。

主权项

一种晶体管，其特征在于包括： 第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和第二表面； 所述第一导电类型的第一半导体区域，其在所述半导体衬底的所述第一表面上； 第二半导体区域，其形成在所述第一半导体区域内，其中所述第一半导体区域的第一部分下伏于所述第二半导体区域，所述第二半导体区域具有第二导电类型； 栅极结构，其形成在从所述第二半导体区域延伸至所述第一半导体区域的所述第一部分中的开口中，其中所述开口将所述第二半导体区域分为第一载流电极区域和第二载流电极区域； 所述栅极结构的栅极导体，其形成在所述开口内且上覆于所述第一半导体区域的所述第一部分，其中所述第一载流电极区域的第一侧邻近所述栅极导体的一侧且与所述栅极导体横向分隔，且所述第二载流电极区域邻近所述栅极导体的另一侧且与所述栅极导体横向分隔； 屏蔽导体，其上覆于所述栅极导体；和 屏蔽绝缘体，其在所述栅极导体与所述屏蔽导体之间。