[发明专利]衬底处理装置及方法有效
| 申请号： | 201410653462.3 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN104658846A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 蔡熙善;赵政熙;李鍾植;李韩生;金贤峻 | 申请（专利权）人： | PSK有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 姜燕;王卫忠 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种衬底处理装置及方法，该衬底处理装置包括第一供给单元、第二供给单元、第一源、第二源、气体分离元件等衬底。由第一气体产生的等离子体被用于处理衬底的中心区域，该第一气体由所述第一源从第一供给单元供给。由第二气体产生的等离子体用于处理衬底的边缘区域，该第二气体由所述第二源从第二供给单元供给。气体分离元件防止分别从第一和第二气体产生的等离子体混合。本发明提供的衬底处理装置和衬底处理方法，能够在使用等离子体的衬底处理工艺过程中调整等离子体的密度。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种衬底处理装置，包括：腔室，包括下壳体和设置在所述下壳体上的上壳体；气体供给单元，将气体供应到所述腔室；等离子体源，从所述气体生成等离子体；以及衬底支撑单元，设置在所述下壳体中以支撑衬底，其中在所述上壳体和所述下壳体之间形成开口，使得所述下壳体的内部空间和所述上壳体的内部空间相互连通，其中所述气体供给单元包括向所述上壳体供应气体的第一供给单元和向所述下壳体直接供应气体的第二供给单元，以及其中所述等离子体源包括从供应到所述上壳体的所述气体生成等离子体的第一源和从供应到所述下壳体的所述气体生成等离子体的第二源。
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