[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：在基底上形成第一介质层后，在第一介质层上形成阻挡层；刻蚀阻挡层和第一介质层形成第一通孔，第一通孔露出基底上第一晶体管的源极或漏极；在形成填充第一通孔的第一导电层后，采用平坦化工艺去除阻挡层上的第一导电层，在第一通孔内形成第一导插塞。在平坦化工艺中，阻挡层作为停止层，可避免第一介质层受到损伤，并避免基于所述第一介质层损伤而在第一介质层表面形成明显的“碟形结构”问题，从而提高形成的半导体器件的性能。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成第一晶体管；在所述基底上形成覆盖所述第一晶体管的第一介质层，所述基底上还形成有第二晶体管，所述第一介质层还覆盖所述第二晶体管；在所述第一介质层上形成阻挡层；刻蚀所述阻挡层和第一介质层形成第一通孔，所述第一通孔露出所述第一晶体管的源极或漏极；向所述第一通孔填充第一导电材料，形成填充于所述第一通孔且覆盖所述阻挡层的第一导电层；以所述阻挡层作为停止层，采用平坦化工艺去除所述阻挡层上的第一导电层，在所述第一通孔内形成第一导电插塞；在形成所述第一导电插塞后，在所述阻挡层上形成第二介质层；以所述阻挡层为刻蚀阻挡层刻蚀所述第二介质层，在所述第二介质层内形成第二通孔和第三通孔，所述第二通孔位于所述第一导电插塞的上方且露出所述第一导电插塞，所述第三通孔位于所述第二晶体管上方且露出所述阻挡层；向所述第二通孔内和第三通孔内填充第二导电材料，在所述第二通孔内形成第二导电插塞，在所述第三通孔内形成第三导电插塞。