[发明专利]一种GaN基凹栅增强型HEMT器件在审
| 申请号： | 201410410630.6 | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104347700A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 谢刚;何志 | 申请（专利权）人： | 佛山芯光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的制造领域，具体涉及在GaN异质结结构上通过高温化学反应的方法选择性腐蚀势垒层形成GaN基凹栅增强HEMT器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 基凹栅 增强 hemt 器件 | ||
【主权项】：
一种GaN基凹栅增强型HEMT器件，包括： 衬底(100)，在衬底(100)上依次生长GaN本征层(200)和势垒层(300)； 钝化层(400)，该钝化层(400)位于势垒层(300)上表面； 凹形栅极(510)，该凹形栅极通过选择性腐蚀形成； 源极电极(411)，该源极电极(411)位于势垒层(300)上表面部分区域； 漏极电极(412)，该漏极电极(412)位于势垒层(300)上表面部分区域； 栅极电极(510)，该栅极电极(510)凹形栅极(500)的上方。
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