[发明专利]进气装置以及半导体加工设备

摘要

本发明提供一种进气装置以及半导体加工设备，其包括进气口和进气室，进气室包括N级匀气层，其中，第1级匀气层包括1个子单元，用于将来自进气口的反应气体沿垂直于输送反应气体的方向均匀分配成至少两个分路；第i级匀气层包括多个子单元，第i级匀气层中的各个子单元一一对应地将由第i‑1级匀气层中所有子单元分配的各个分路沿垂直于输送反应气体的方向再次均匀分配成至少两个分路，i＝2,3,…,N；第N级匀气层中所有子单元用于将由各自分配的各个分路自反应腔室的顶部输送至反应腔室内。本发明提供的进气装置，其不仅可以提高反应腔室内的气流分布均匀性，而且可以提高调节气体流量的有效性和效率，从而可以提高工艺效率。

主权项

1.一种进气装置，其包括进气口和进气室，所述进气室用于将自所述进气口流出的反应气体自反应腔室的顶部输送至反应腔室内，其特征在于，所述进气室包括N级匀气层，N为大于1的整数；其中，第1级匀气层包括1个子单元，用于将来自所述进气口的反应气体沿垂直于输送反应气体的方向均匀分配成至少两个分路；第i级匀气层包括多个子单元，且第i级匀气层中的子单元数量等于由第i‑1级匀气层中所有子单元分配的分路数量的总和，并且第i级匀气层中的各个子单元一一对应地将由第i‑1级匀气层中所有子单元分配的各个分路沿垂直于输送反应气体的方向再次均匀分配成至少两个分路，i＝2,3,…,N；第N级匀气层中所有子单元用于将由各自分配的各个分路输送至所述反应腔室内；第1～N‑1级匀气层沿水平方向逐级输送反应气体，且在第1～N‑1级匀气层中，由每个子单元分配的分路数量为两个；第N级匀气层沿垂直方向输送反应气体，且在第N级匀气层中，由每个子单元分配的分路数量为至少四个，且为偶数。