[发明专利]一种通过硒元素掺杂提高铜镉锡硫薄膜晶粒尺寸的制备方法无效
| 申请号： | 201410326642.0 | 申请日： | 2014-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN104060235A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 孟磊;徐娜;陈哲 | 申请（专利权）人： | 吉林化工学院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58;C23C14/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 132022*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种通过硒元素掺杂改变铜镉锡硫(Cu2CdSnS4)薄膜晶粒尺寸的制备方法。其特征是采用铜镉锡硫单一靶材磁控溅射铜镉锡硫预制膜，对预制膜进行硒元素掺杂硫化热处理，得到晶粒尺寸较大的优质铜镉锡硫薄膜。最大晶粒尺寸可达到2mm。本方法工艺简单，成本低廉，操作方便，可重复性强，有助于铜镉锡硫吸收层的太阳电池的产业化发展。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 元素 掺杂 提高 铜镉锡硫 薄膜 晶粒 尺寸 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种通过硒元素掺杂提高铜镉锡硫薄膜晶粒尺寸的制备方法，其特征在于采用铜镉锡硫单一靶材进行磁控溅射，对溅射后的薄膜进行掺入硒元素的硫化热处理，将获得大晶粒尺寸的铜镉锡硫薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林化工学院，未经吉林化工学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410326642.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
