[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410304861.9 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104779289A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 小野昇太郎;泉沢优;浦秀幸;山下浩明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够降低ON电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1导电类型的第1半导体层，设置于漏电极与源电极之间；第2半导体层，设置于第1半导体层与源电极之间，其第1导电类型的杂质浓度高于第1半导体层；多个第2导电类型的第3半导体层，其漏电极侧的端部处于第1半导体层，与第1半导体层以及第2半导体层相接地被设置；第2导电类型的第4半导体层，设置于第2半导体层与源电极之间；第1导电类型的第5半导体层，设置于第4半导体层与源电极之间；场板电极，在与第2半导体层之间，隔着第1绝缘膜被设置；以及栅电极，在与第4半导体层之间，隔着膜厚比第1绝缘膜薄的第2绝缘膜被设置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：漏电极；源电极；第1导电类型的第1半导体层，设置于所述漏电极与所述源电极之间；多个第1导电类型的第2半导体层，设置于所述第1半导体层与所述源电极之间，该第2半导体层的第1导电类型的杂质浓度高于所述第1半导体层；多个第2导电类型的第3半导体层，该第3半导体层的所述漏电极侧的端部处于所述第1半导体层，该第3半导体层与所述第1半导体层以及所述第2半导体层相接地被设置；多个第2导电类型的第4半导体层，设置于所述第2半导体层以及所述第3半导体层与所述源电极之间；第1导电类型的第5半导体层，设置于所述第4半导体层与所述源电极之间，该第5半导体层的第1导电类型的杂质浓度高于所述第2半导体层；场板电极，被所述第2半导体层夹持，并在与所述第2半导体层之间隔着第1绝缘膜被设置；以及栅电极，在与所述第4半导体层之间，隔着膜厚比所述第1绝缘膜薄的第2绝缘膜被设置。
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