[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件的形成方法包括在半导体衬底上的介质层内形成开孔后，对开孔侧壁进行至少一次表面处理，所述表面处理包括通过第一离子对开孔进行处理，第一离子吸附在开孔侧壁上，且进入介质层开孔侧壁的缝隙中，从而在开孔的侧壁形成致密的离子吸附层；通过第二离子对开孔进行处理，第二离子与离子吸附层中的第一离子电性不同，可以被第一离子吸引并与第一离子反应，形成较为致密的保护层。在后续向介质层的开孔内形成金属插塞后，相比于现有的扩散阻挡层，相比于现有的扩散阻挡层，在相同的厚度条件下，保护层可提高抑制金属插塞中的金属原子向介质层内扩散的作用，从而提高金属插塞的稳定性。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介质层，在所述介质层中形成开孔；对所述开孔的侧壁进行至少一次表面处理，所述表面处理包括：通过第一离子对所述开孔进行处理，在所述开孔侧壁上形成离子吸附层；通过与第一离子电性不同的第二离子对所述开孔进行处理，所述第二离子与所述离子吸附层反应形成保护层；向所述开孔内填充金属材料层，以形成金属插塞。