[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括半导体衬底，位于半导体衬底内的体区；位于所述半导体衬底表面且位于体区两侧的两个栅极结构和侧墙，所述栅极结构横跨体区与半导体衬底的边缘；位于侧墙之间暴露出的体区内的重掺杂源区，位于重掺杂源区靠近栅极结构一侧的低阻轻掺杂源区，位于所述重掺杂源区内的体区连接区，所述体区连接区与侧墙之间的间距小于当前工艺下体区连接区与侧墙之间的最小间距。虽然体区连接区与侧墙之间的间距变小，但由于沟道区的电流能通过导电通道(低阻轻掺杂源区)与重掺杂源区电连接，不会大幅提高LDMOS晶体管的导通电阻，能同时兼顾源区尺寸和导电性能。

主权项

一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有体区；在所述半导体衬底表面形成栅极结构，所述栅极结构横跨体区与半导体衬底之间的界面；以所述栅极结构为掩膜，对两个栅极结构之间的体区进行第一杂质离子倾斜注入，在暴露出的体区表面和栅极结构底部靠近边缘的位置形成低阻轻掺杂源区，利用所述低阻轻掺杂源区在侧墙底部的体区内形成导电通道，所述低阻轻掺杂源区的方块电阻范围为600欧姆～2K欧姆；在所述栅极结构侧壁形成侧墙，以所述侧墙为掩膜，对暴露出的体区表面形成重掺杂源区；利用光掩模在所述重掺杂源区对应的位置进行离子注入，形成体区连接区，所形成的体区连接区与侧墙接触。