[发明专利]一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有栅极结构；在半导体衬底的将要形成源/漏区的部分中形成弓状凹槽；执行高温退火处理，使弓状凹槽转变为U型凹槽；蚀刻所述高温退火后形成的U型凹槽，以形成∑状凹槽，并对∑状凹槽实施低温退火处理；在∑状凹槽中形成嵌入式锗硅层。根据本发明，可以进一步提升∑状凹槽轮廓的分布均匀性以及后续工艺形成的嵌入式锗硅层的厚度的均一性，降低选择性外延生长锗硅的温度，进而进一步增强嵌入式锗硅层对器件沟道区所施加的压应力，也可以改善器件电性能在晶圆内分布的均匀性。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述半导体衬底的将要形成源/漏区的部分中形成弓状凹槽；执行高温退火处理，使所述弓状凹槽转变为U型凹槽，所述高温退火的温度为600‑1200℃；蚀刻所述高温退火后形成的U型凹槽，以形成∑状凹槽，并对所述∑状凹槽实施低温退火处理，所述高温退火的温度与所述低温退火的温度之间的差值为300‑700℃；在所述∑状凹槽中形成嵌入式锗硅层；其中，实施所述高温退火之前执行第一湿法清洗过程，以去除所述弓状凹槽中的残留物和杂质。