[发明专利]一种双向瞬态电压抑制保护器件

摘要

本发明公开了一种双向瞬态电压抑制保护器件，包括上台体、中台体和下台体，第一重掺杂N型区位于第一轻掺杂N型区正上方并形成第一接触面，第二重掺杂N型区位于第二轻掺杂N型区正下方并形成第二接触面，第一接触面为上凸面，第二接触面为下凹面；上台体包括第一轻掺杂N型区、第一重掺杂N型区，中台体从上至下依次为第一轻掺杂P型区、重掺杂P型区和第二轻掺杂P型区，下台体包括第二轻掺杂N型区、第二重掺杂N型区；第一重掺杂N型区、第一轻掺杂N型区接触并位于其正上方。本发明将电场峰值向中心移动提高了电流密度的同时也降低整个器件的反向漏电流，保证了在高温下，能仰制反向电流快速升高，抗浪涌能力得到了提高。

主权项

一种双向瞬态电压抑制保护器件，其特征在于：包括上台体（1）、与上台体（1）底面面接触的中台体（2）和与中台体（2）底面面接触的下台体（13），所述上台体（1）和与下台体（13）各自的外侧面均为斜面，此上台体（1）包括第一轻掺杂N 型区（3）、第一重掺杂N型区（4），所述中台体（2）从上至下依次为第一轻掺杂P型区（14）、重掺杂P型区（15）和第二轻掺杂P型区（16），此下台体（2）包括第二轻掺杂N 型区（5）、第二重掺杂N型区（6）；所述第一重掺杂N 型区（4）、第一轻掺杂 N 型区（3）接触并位于其正上方，所述第二重掺杂 N 型区（6）、第二轻掺杂 N 型区（5）接触并位于其正下方；所述第一重掺杂N型区（4）位于第一轻掺杂N型区（3）正上方并形成第一接触面，所述第二重掺杂N型区（6）位于第二轻掺杂N型区（5）正下方并形成第二接触面，所述第一接触面为上凸面（19），所述第二接触面为下凹面（20）；所述中台体（2）中第一轻掺杂P型区（14）与上台体（1）的第一轻掺杂 N 型区（3）接触形成第一 PN 结接触面，所述中台体（2）中第二轻掺杂 P 型区（16）与下台体（13）的第二轻掺杂N型区（5）接触形成第二 PN 结接触面 ；一第一钝化保护层（7）覆盖于第一重掺杂N型区（4）上表面的边缘区域和第一重掺杂N型区（4）的侧表面，一第二钝化保护层（8）覆盖于第二重掺杂 N型区（6）下表面的边缘区域和第二重掺杂 N 型区（6）的侧表面，上金属层（9）覆盖于第一重掺杂N型区（4）的中央区域，下金属层（10）覆盖于第二重掺杂N型区（6）的中央区域；所述第一轻掺杂 N 型区（3）与第一重掺杂 N 型区（4）接触的上部区域且位于第一轻掺杂N型区（3）边缘的四周区域具有第一中掺杂 N 型区（11），此第一中掺杂 N 型区（11）的上表面与第一重掺杂 N 型区（4）的下表面接触，此第一中掺杂 N 型区（11）的外侧面延伸至上台体（1）外侧面，所述第一轻掺杂 P 型区（14）与重掺杂 P 型区（15）接触的下部区域且位于第一轻掺杂P型区（14）边缘的四周区域具有第一中掺杂P型区（12），此第一中掺杂P型区（12）的下表面与重掺杂 P 型区（15）的上表面接触，此第一中掺杂 P 型区（12）的外侧面延伸至中台体（2）外侧面；所述第二轻掺杂 N 型区（5）与第二重掺杂N型区（6）接触的下部区域且位于第二轻掺杂N型区（5）边缘的四周区域具有第二中掺杂N型区（17），此第二中掺杂N型区（17）的下表面与第二重掺杂 N 型区（6）的上表面接触，此第二中掺杂 N 型区（17）的外侧面延伸至下台体（13）外侧面，所述第二轻掺杂 P 型区（16）与重掺杂 P 型区（15）接触的上部区域且位于第二轻掺杂P型区（16）边缘的四周区域具有第二中掺杂P型区（18），此第二中掺杂P型区（18）的上表面与重掺杂 P 型区（15）的下表面接触，此第二中掺杂 P 型区（18）的外侧面延伸至中台体（2）外侧面；所述上台体（1）的外侧面和与中台体（2）中第一轻掺杂 P 型区（14）的外侧面的夹角为136°或152°或145°，所述下台体（13）的外侧面和与中台体（2）中第二轻掺杂 P 型区（16）的外侧面的夹角为152°或138°或145°。