[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件，其包括衬底、化合物半导体层和第一半导体图案和第二半导体图案。衬底包括第一区和第二区。第一半导体图案位于第一区的化合物半导体层上，并包括元素半导体。第二半导体图案位于第二区的化合物半导体层上，并包括III‑V族半导体材料。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底，其包括第一区和第二区；化合物半导体层，其位于所述衬底上；第一半导体图案，其位于所述第一区的化合物半导体层上，所述第一半导体图案包括元素半导体；第一缓冲图案，其位于所述第二区的所述化合物半导体层上；以及第二半导体图案，其位于所述第一缓冲图案上，所述第二半导体图案包括III‑V族半导体材料，其中，从所述衬底的上表面到所述第一半导体图案的上表面的高度大于从所述衬底的上表面到所述第一缓冲图案的上表面的高度，并且其中，所述第一半导体图案的下表面和所述第一缓冲图案的下表面共面。