[发明专利]输出电路以及电压信号输出方法有效
| 申请号： | 201410175509.X | 申请日： | 2014-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN104142702A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 糸永雄一 | 申请（专利权）人： | 富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/618 | 分类号： | G05F1/618 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 朱胜;陈炜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种输出电路以及电压信号输出方法。输出电路包括：串联连接在高电势侧电源与输出节点之间的第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管；串联连接在低电势侧电源与输出节点之间的第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管；将第一偏置电压输出到连接到第二PMOS晶体管的栅极端子的第一偏置节点并且将第二偏置电压输出到连接到第二NMOS晶体管的栅极端子的第二偏置节点的偏置电压生成电路；抑制第一偏置电压的波动的第一偏置电压稳定电路和抑制第二偏置电压的波动的第二偏置电压稳定电路；以及检测使得第一偏置电压和第二偏置电压发生波动的信号改变并且控制第一偏置电压稳定电路和第二偏置电压稳定电路的控制电路。 | ||
| 搜索关键词： | 输出 电路 以及 电压 信号 方法 | ||
【主权项】：
一种输出电路，包括：第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管串联连接在高电势侧电源与输出节点之间，所述第一PMOS晶体管连接到所述高电势侧电源侧，所述第二PMOS晶体管连接到所述输出节点侧；第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管串联连接在低电势侧电源与所述输出节点之间，所述第一NMOS晶体管连接到所述低电势侧电源侧，所述第二NMOS晶体管连接到所述输出节点侧；偏置电压生成电路，配置成将第一偏置电压输出到连接到所述第二PMOS晶体管的栅极端子的第一偏置节点，并且将第二偏置电压输出到连接到所述第二NMOS晶体管的栅极端子的第二偏置节点；第一偏置电压稳定电路，连接到所述第一偏置节点并且配置成抑制所述第一偏置电压的波动；第二偏置电压稳定电路，连接到所述第二偏置节点并且配置成抑制所述第二偏置电压的波动；以及控制电路，配置成检测使得所述第一偏置电压和所述第二偏置电压发生波动的信号改变，并且配置成控制所述第一偏置电压稳定电路和所述第二偏置电压稳定电路的操作。
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