[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在嵌入接触插塞的层间绝缘膜中形成电容器元件，电容器元件具有各自由金属形成的电极。在衬底上面形成层间绝缘膜。层间绝缘膜包括第一绝缘膜和第二绝缘膜。在第二绝缘膜中形成第一和第二接触插塞。第一和第二接触插塞延伸通过第二绝缘膜以到达第一和第二栅电极。在衬底的表面中，形成隔离膜。在平面视图中的与隔离膜重叠的区域内形成电容器元件。电容器元件包括下电极和上电极。下电极和上电极中的每一个包含金属。电容器元件的下和上电极被形成在第一绝缘膜上面以被嵌入在第二绝缘膜中。

主权项

一种半导体器件，包括：第一晶体管，所述第一晶体管被形成在衬底上面；第二晶体管，所述第二晶体管被形成在所述衬底上面，并且具有与所述第一晶体管的沟道的导电类型不同的导电类型的沟道；以及层间绝缘膜，所述层间绝缘膜被形成在所述衬底上面以覆盖所述第一晶体管和所述第二晶体管，其中，所述第一晶体管包括：第一栅电极，所述第一栅电极被形成在所述衬底上面并且包含金属；以及第一源/漏区，所述第一源/漏区被形成在所述第一栅电极侧方的所述衬底的表面中，其中，所述第二晶体管包括：第二栅电极，所述第二栅电极被形成在所述衬底上面并且包含金属；以及第二源/漏区，所述第二源/漏区被形成在所述第二栅电极侧方的所述衬底的表面中，并且其中，所述层间绝缘膜包括：第一绝缘膜，所述第一绝缘膜被形成在所述第一源/漏区和所述第二源/漏区上面；以及第二绝缘膜，所述第二绝缘膜被形成在所述第一绝缘膜上面，所述半导体器件进一步包括：第一接触插塞，所述第一接触插塞延伸通过所述第二绝缘膜以到达所述第一栅电极；第二接触插塞，所述第二接触插塞延伸通过所述第二绝缘膜以到达所述第二栅电极；隔离膜，所述隔离膜被形成在所述衬底的表面中；以及电容器元件，所述电容器元件被形成在平面视图中的与所述隔离膜重叠的区域内，其中，所述电容器元件包括：下电极，所述下电极包含金属；上电极，所述上电极被形成在所述下电极上面并且包含金属；以及电容器绝缘膜，所述电容器绝缘膜被形成在所述下电极和所述上电极之间，并且其中，所述下电极和所述上电极被形成在所述第一绝缘膜上面以被嵌入在所述第二绝缘膜中。