[发明专利]具有双金属的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件在审
| 申请号： | 201410166404.8 | 申请日： | 2014-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN104157703A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 汤晓燕;杨帅;宋庆文;张艺蒙;贾仁需;张玉明;王悦湖 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/47 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有双金属的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，其包括低势垒金属、高势垒金属、SiO2隔离介质、沟槽、一次N-外延层、P+离子注入区、二次N-外延层、N+衬底区和欧姆接触区，所述P+离子注入区处于二次N-外延层的表面，沟槽与P+离子注入区上下对齐，形状相同。本发明具有双金属的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件，该器件既有双金属碳化硅SBD肖特基接触面积大，反向漏电流低的优点，又有浮动结碳化硅SBD击穿电压大的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双金属 沟槽 浮动 碳化硅 sbd 器件 | ||
【主权项】：
一种具有双金属的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，其包括低势垒金属、高势垒金属、SiO2隔离介质、沟槽、一次N‑外延层、P+离子注入区、二次N‑外延层、N+衬底区和欧姆接触区，所述P+离子注入区处于二次N‑外延层的表面，沟槽与P+离子注入区上下对齐，形状相同，所述的高势垒金属处于器件表面的沟槽区，所述的低势垒金属处于器件表面的非沟槽区。
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