[发明专利]基于发射区几何结构的双极器件抗辐照加固方法有效
申请号: | 201410135985.9 | 申请日: | 2014-04-04 |
公开(公告)号: | CN103871873A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 李兴冀;赵玉玲;刘超铭;刘广桥;孙毅;杨剑群;韩力争;刘艳秋;李鹏伟;赵运霞;何世禹 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学;石家庄天林石无二电子有限公司;中国空间技术研究院 |
主分类号: | H01L21/328 | 分类号: | H01L21/328;H01L21/265 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 张宏威 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 基于发射区几何结构的双极器件抗辐照加固方法,涉及电子技术领域。它是为了解决现有的双极晶体管及电路在空间辐射环境中的电流增益损伤程度大,双极器件抗辐照能力低的问题。本发明的双极器件抗辐照加固方法保留了传统的双极器件工艺技术,制造工艺步骤非常简单。本发明所提出的新型技术可通过改进发射区几何结构,能大幅度降低电离辐照诱导的氧化物俘获正电荷和界面态对器件性能参数的影响,显著增强双极器件的抗辐照能力,同比增强了2-5倍。本发明适用于电子技术领域。 | ||
搜索关键词: | 基于 发射 几何 结构 器件 辐照 加固 方法 | ||
【主权项】:
基于发射区几何结构的双极器件抗辐照加固方法,其特征在于:该方法的具体步骤为:步骤一:采用TCAD软件模拟双极型器件圆形发射区梳状结构的工艺参数,并根据模拟的工艺参数采用传统工艺制备圆形发射区梳状结构的双极型器件;所述工艺参数为圆形发射区梳状结构的面积和周长;步骤二:采用SRIM软件模拟获得注入双极型器件的离子的能量、入射深度和注量信息;步骤三:采用TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化,改变双极型器件的离子注入量,使TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化量小于未注入离子时双极型器件电流增益的10%,记录离子注入量;步骤四:根据步骤三获得的离子注入量,对离子注入机进行参数设置,在双极型器件发射区的边缘位置进行离子注入,形成横截面为梯形的发射区;步骤五:对完成离子注入后的双极型器件进行退火处理,退火处理后完成基于发射区几何结构的双极器件抗辐照加固。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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