[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置。该半导体装置即使对栅极电极层反复施加晶体管动作时的栅极电压，也不会发生阈值电压的漂移。在具备层叠于半导体层的一侧的面的栅极绝缘膜、和层叠在栅极绝缘膜上，用于经由该栅极绝缘膜向半导体层施加用于形成沟道的电压的栅极电极层的半导体装置中，栅极绝缘膜具备层叠于半导体层的一侧的面的第一绝缘膜、和配置在第一绝缘膜与栅极电极层之间的第二绝缘膜，在将第一以及第二绝缘膜的相对介电常数设为ε1、ε2，将第一以及第二绝缘膜的膜厚设为d1[nm]、d2[nm]，将对栅极电极层能够施加的额定电压设为Vmax[V]时，构成为ε1<ε2，并且满足下式（C1）公式1Vmaxd1+ϵ1ϵ2·d2≤21[MV/cm]···(C1).]]>

主权项

一种半导体装置，其中，在具备层叠于半导体层的一侧的面的栅极绝缘膜、和层叠在所述栅极绝缘膜上，且用于经由该栅极绝缘膜向所述半导体层施加用于形成沟道的电压的栅极电极层的半导体装置中，所述栅极绝缘膜具备层叠于所述半导体层的一侧的面的第一绝缘膜、和配置在所述第一绝缘膜与所述栅极电极层之间的第二绝缘膜，在将所述第一绝缘膜以及第二绝缘膜的相对介电常数设为ε1、ε2，将所述第一绝缘膜以及第二绝缘膜的膜厚设为d1[nm]、d2[nm]，将对所述栅极电极层能够施加的额定电压设为Vmax[V]时，构成为ε1<ε2，d1<d2，d1≥10[nm]，并且所述第二绝缘膜的膜厚d2满足下式(C2a)，Vmax是10V以上，栅极电压是Vmax的1/3～1/2，发生阈值电压的漂移的电压是Vmax/2以上，d2≥ϵ2ϵ1(Vmax16-d1)...(C2a).]]>