[发明专利]氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201410056782.0 | 申请日： | 2014-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN103811609A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 闫建昌;王军喜;张韵;丛培沛;孙莉莉;董鹏;田迎冬;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法。该氮化物发光二极管外延片包括：衬底；以及依次沉积于衬底上的氮化物材料的模板层、n型层、量子阱有源区、载流子阻挡层和p型层；其中，p型层中掺杂元素至少包括Mg；载流子阻挡层为含有Al元素的氮化物材料，且除后期由p型层渗入的Mg元素之外，其前期沉积工艺中未掺入Mg元素。本发明通过在量子阱有源区和p型层之间插入合适厚度的非有意掺杂载流子阻挡层，可以有效减少p型层中掺杂剂Mg往量子阱有源区中的扩散效应，从而提高量子阱的辐射复合效率，即有效提高氮化物LED的内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光二极管 外延 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光二极管外延片，其特征在于，包括：衬底；以及依次沉积于所述衬底上的氮化物材料的模板层、n型层、量子阱有源区、载流子阻挡层和p型层；其中，所述p型层中掺杂元素至少包括Mg；所述载流子阻挡层为含有Al元素的氮化物材料，且除后期由p型层渗入的Mg元素之外，其前期沉积工艺中未掺入Mg元素。
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