[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201410046438.3 | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103779426A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;乡户宏充;须泽英臣;笹川慎也;仓田求;三上真弓 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;王忠忠 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，提供一种维持有利的特性并实现微细化的、包括氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与所述氧化物半导体层重叠的栅电极；以及设置在所述氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅极绝缘层，其中，所述源电极及所述漏电极各包括第一导电层和具有从所述第一导电层的端部向沟道长度方向延伸的区域的第二导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；源电极，所述源电极包括： 第一导电层；以及 与所述氧化物半导体层接触的第二导电层；漏电极，所述漏电极包括： 第三导电层；以及 与所述氧化物半导体层接触的第四导电层；与所述氧化物半导体层邻近的栅电极；以及设置在所述氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅极绝缘层，其中，所述栅电极与所述氧化物半导体层彼此重叠，其中，所述第一导电层在所述第二导电层之上，并且所述第二导电层具有比所述第一导电层高的电阻，其中，所述第三导电层在所述第四导电层之上，并且所述第四导电层具有比所述第三导电层高的电阻，其中，所述第二导电层延伸超过所述第一导电层的端部，其中，所述第四导电层延伸超过所述第三导电层的端部，其中，所述第一导电层的端部与所述第三导电层的端部彼此相对，以及其中，所述氧化物半导体层的材料包括In、Ga、Zn以及O。
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