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[发明专利]显示装置的制造方法-CN202280011963.4在审
发明人：柳泽悠一;笹川慎也;西崎史朗;方堂凉太 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：提供一种显示品质高的显示装置的制造方法。本发明是一种包括第一至第三绝缘体、第一、第二导电体及第一EL层的显示装置的制造方法。在第一绝缘体上形成第一导电体且在第一绝缘体上及第一导电体上形成第二绝缘体。接着，在第二绝缘体的重叠于第一导电体的区域中形成到达第一导电体的第一开口部。在包含第一、第二绝缘体上及第一导电体上的区域涂敷正型光致抗蚀剂，在光致抗蚀剂中重叠于第一开口部及第一导电体的区域中形成到达第一导电体及第二绝缘体的具有反锥结构的第二开口部。在光致抗蚀剂的第二开口部的底部及光致抗蚀剂上依次形成第一EL层、第二导电体及第三绝缘体，然后去除光致抗蚀剂及形成在光致抗蚀剂上的第一EL层、第二导电体及第三绝缘体。
显示装置制造方法

[发明专利]显示面板、信息处理装置、显示面板的制造方法-CN202180087487.X在审
发明人： 笹川慎也;方堂凉太;樋浦吉和;藤江贵博 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。本发明的一个方式是一种显示面板，包括：第一发光器件；第二发光器件；分隔壁；第一保护层；以及第二保护层。第一发光器件包括第一电极、第二电极及第一层，第一层夹在电极间，第一层包含第一具有空穴传输性的材料及第一具有电子接收性的物质，第一保护层与第二电极接触。另外，第二发光器件包括第三电极、第四电极及第二层，第二层夹在电极间，第二层包含第一具有空穴传输性的材料及第一具有电子接收性的物质，第二层在与第一层间具有第一间隙。第二保护层在与第一保护层间具有第二间隙，第二间隙与第一间隙重叠，第二保护层与第四电极接触。另外，分隔壁与第一间隙及第二间隙重叠。
显示面板信息处理装置制造方法

[发明专利]显示装置及显示装置的制造方法-CN202180080919.4在审
发明人：柳泽悠一;笹川慎也;浜田崇 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：提供一种高清晰显示装置。本发明是一种显示装置，该显示装置包括第一导电体、第一导电体上的第一绝缘体、设置在第一绝缘体的开口的内部的第二导电体、与第二导电体的顶面及第一绝缘体的顶面接触的第一发光层以及与第一发光层的顶面接触的第三导电体。
显示装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202180057131.1在审
发明人：山崎舜平;仓田求;村川努;荒泽亮;福岛邦宏;山根靖正;笹川慎也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种晶体管特性不均匀小的半导体装置。包括如下工序：在包括氧化物半导体器件的结构体中形成到达氧化物半导体器件的开口的工序；将第一导电体嵌入开口中的工序；以与第一导电体的顶面接触的方式形成第二导电体的工序；通过溅射法以覆盖结构体、第一导电体及第二导电体的方式形成第一阻挡绝缘膜的工序；以及通过ALD法在第一阻挡绝缘膜上形成第二阻挡绝缘膜的工序，其中第一阻挡绝缘膜及第二阻挡绝缘膜具有抑制氢的扩散的功能。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202180052289.X在审
发明人：山崎舜平;山根靖正;安藤善范;小森茂树;方堂凉太;大贯达也;笹川慎也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种晶体管特性不均匀少的半导体装置。该半导体装置包括第一器件层至第n(n为2以上的自然数)器件层，该器件层分别包括第一阻挡绝缘膜、第二阻挡绝缘膜、第三阻挡绝缘膜、氧化物半导体器件、第一导电体及第二导电体，第一器件层至第n器件层中，在第一阻挡绝缘膜上配置氧化物半导体器件，以覆盖氧化物半导体器件的方式配置第二阻挡绝缘膜，通过在第二阻挡绝缘膜形成的开口以与氧化物半导体器件电连接的方式配置第一导电体，在第一导电体上配置第二导电体，在第二导电体及第二阻挡绝缘膜上配置第三阻挡绝缘膜，第一阻挡绝缘膜至第三阻挡绝缘膜具有抑制氢的扩散的功能。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202180050368.7在审
发明人：山崎舜平;伊藤俊一;小松良宽;川口忍;笹川慎也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种特性的不均匀小的半导体装置。形成第一绝缘体，在第一绝缘体上形成导电体，在导电体上形成第二绝缘体，在第二绝缘体上形成第三绝缘体，在第三绝缘体上形成氧化物，进行第一加热处理，以及在进行第一加热处理之后，接着进行第二加热处理，其中第一加热处理的温度低于第二加热处理的温度。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202180051208.4在审
发明人：山崎舜平;小松良宽;大野敏和;柳泽悠一;笹川慎也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：提供一种特性的不均匀小的半导体装置。沉积第一绝缘体，在第一绝缘体上沉积金属氧化物，在金属氧化物上沉积第二绝缘体，在第二绝缘体上沉积氧化膜，通过进行热处理，第一绝缘体中、第二绝缘体中及氧化物中的氢移动到金属氧化物且被吸収，金属氧化物通过ALD法沉积。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法-CN202180019725.3在审
发明人：山崎舜平;小松良宽;水上翔太;川口忍;泽井宽美;山根靖正;惠木勇司;樱田勇二郎;笹川慎也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的源电极及漏电极、以覆盖氧化物半导体膜、源电极及漏电极的方式配置的层间绝缘膜、氧化物半导体膜上的第一栅极绝缘膜、第一栅极绝缘膜上的第二栅极绝缘膜以及第二栅极绝缘膜上的栅电极，层间绝缘膜中以与源电极和漏电极之间的区域重叠的方式形成有开口，第一栅极绝缘膜、第二栅极绝缘膜及栅电极配置在层间绝缘膜的开口中，第一栅极绝缘膜包含氧及铝，第一栅极绝缘膜具有厚度比第二栅极绝缘膜小的区域。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202080092368.9在审
发明人：山崎舜平;笹川慎也;方堂凉太;森若智昭 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种其特性的不均匀少的半导体装置。该半导体装置包括第一绝缘体、第一绝缘体上的包括开口的第二绝缘体、设置在开口的内部且包括第一凹部的第三绝缘体、设置在第一凹部的内部且包括第二凹部的第一氧化物、设置在第二凹部的内部的第二氧化物、与第二氧化物电连接且相隔的第一导电体及第二导电体、在第二氧化物上的第四绝缘体以及包括中间夹着第四绝缘体与第二氧化物重叠的区域的第三导电体，其中第二氧化物在俯视时包括第一区域，第二区域及夹在第一区域与第二区域之间的第三区域，第一导电体包括与第一区域及第二绝缘体重叠的区域，第二导电体包括与第二区域及第二绝缘体重叠的区域，第三导电体包括与第三区域重叠的区域。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202080052839.3在审
发明人：山崎舜平;笹川慎也;方堂凉太;广濑贵史;小松良宽;栃林克明;菅谷健太郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括氧化物半导体、氧化物半导体上的第一导电体及第二导电体、与第一导电体的顶面接触的第一绝缘体、与第二导电体的顶面接触的第二绝缘体、位于第一绝缘体及第二绝缘体上且具有与第一导电体及第二导电体之间的区域重叠的开口的第三绝缘体、位于氧化物半导体上且位于第一导电体及第二导电体之间的区域中的第四绝缘体以及第四绝缘体上的第三导电体，并且第一绝缘体及第二绝缘体为包含非晶结构的金属氧化物。
半导体装置

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201980083166.5在审
发明人：山崎舜平;笹川慎也;栃林克明;村川努;高桥绘里香 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管特性的偏差少的半导体装置。本发明提供一种包括晶体管的半导体装置，其中晶体管包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第一导电体、第二导电体以及配置在第一导电体与第二导电体之间的第二氧化物；第二氧化物上的第二绝缘体；以及第二绝缘体上的第三导电体，与第三导电体重叠的区域的第一氧化物的顶面低于与第一导电体重叠的区域的第一氧化物的顶面，在与第三导电体重叠的区域中，第一氧化物的侧面与顶面之间具有弯曲面，弯曲面的曲率半径为1nm以上且15nm以下。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201680048760.7有效
发明人： 笹川慎也;浜田崇;下村明久;冈本悟;栃林克明 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种微型晶体管。提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种频率特性高的晶体管。提供一种通态电流大的晶体管。提供一种包括该晶体管的半导体装置。提供一种集成度高的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体；第二绝缘体；第二导电体；第三导电体；第四导电体；第五导电体；埋入在形成于第二绝缘体、第二导电体、第三导电体、第四导电体及第五导电体的开口部中的第一导电体及第一绝缘体；第二导电体的侧面及底面与第四导电体接触的区域；以及第三导电体的侧面及底面与第五导电体接触的区域。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201980058033.2在审
发明人：山崎舜平;德丸亮;笹川慎也;中山智则 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，其包括第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第一绝缘体、第一绝缘体上的第一导电体、第二氧化物上的第二导电体及第三导电体，其中，第二导电体包括第一区域及第二区域，第三导电体包括第三区域及第四区域，第二区域位于第一区域的上方，第四区域位于第三区域的上方，第二导电体及第三导电体都包含钽及氮，第一区域的相对于钽的氮的原子数比高于第二区域的相对于钽的氮的原子数比，并且，第三区域的相对于钽的氮的原子数比高于第四区域的相对于钽的氮的原子数比。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201980026751.1在审
发明人：山崎舜平;笹川慎也;高桥绘里香;栃林克明;荒泽亮 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种特性波动、元件劣化、形状异常得到抑制的半导体装置。该半导体装置包括含有多个元件的第一区域、含有多个伪元件的第二区域，第二区域设置在第一区域的边缘部，并且元件和伪元件都包含氧化物半导体。元件和伪元件具有同一结构，元件所含有的结构体和伪元件所含有的结构体由同一材料构成并配置在同一层中。此外，氧化物半导体包含In、元素M(M是Al、Ga、Y或Sn)及Zn。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201710144162.6有效
发明人：恵木勇司;须泽英臣;笹川慎也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明以高成品率提供即使具有微型的结构也具有高电特性的晶体管。本发明在包括该晶体管的半导体装置中也实现高性能化、高可靠性化及高生产化。在具有依次层叠有氧化物半导体层、栅极绝缘层及在侧面设置有侧壁绝缘层的栅电极层的晶体管的半导体装置中，以与氧化物半导体层及侧壁绝缘层接触的方式设置源电极层及漏电极层。在该半导体装置的制造工序中，以覆盖氧化物半导体层、侧壁绝缘层及栅电极层上的方式层叠导电层及层间绝缘层，通过化学机械抛光法去除栅电极层上的层间绝缘层及导电层，来形成源电极层及漏电极层。在形成栅极绝缘层之前，对氧化物半导体层进行洗涤处理。
半导体装置制造方法

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