[发明专利]一种碳化硅功率器件结终端的制造方法

摘要

本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端的制造方法。该碳化硅功率器件结终端的制造方法包括以下步骤步骤1在外延层上形成牺牲层；步骤2在牺牲层上制作掩膜，以形成场限环的注入窗口；步骤3刻蚀牺牲层的未被掩膜覆盖的部分；步骤4去除掩膜；步骤5注入离子，以同时形成场限环和电荷补偿层。本发明的碳化硅功率器件结终端的制造方法，借助于外延层上形成的牺牲层，一次离子注入同时实现场限环和电荷补偿层，工艺简单，制造成本低。

主权项

一种碳化硅功率器件结终端的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：在外延层上淀积二氧化硅形成牺牲层，所述牺牲层的厚度为50nm‑2000nm；步骤2：在所述牺牲层上制作掩膜，以形成场限环的注入窗口；步骤3：刻蚀所述牺牲层的未被所述掩膜覆盖的部分；步骤4：去除所述掩膜；步骤5：注入离子，以同时形成所述场限环以及位于所述牺牲层下方的电荷补偿层。