[发明专利]电压辅助的自旋转移力矩磁随机存取存储器写方案在审
| 申请号： | 201410042855.0 | 申请日： | 2014-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103971726A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | A.E.昂;V.尼基廷;M.T.克朗比 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及电压辅助的自旋转移力矩磁随机存取存储器写方案。实施例包括用于半导体存储器件的三端头磁元件。所述磁元件包括：参考层；自由层；布置在所述参考层与所述自由层之间的阻挡层；第一电极；布置在所述电极与所述自由层之间的绝缘层；以及耦接到所述自由层的侧壁的第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 辅助 自旋 转移 力矩 随机存取存储器 方案 | ||
【主权项】：
一种用于半导体器件的磁元件，包括：参考层；自由层；阻挡层，布置在所述参考层与所述自由层之间；第一电极；绝缘层，布置在所述电极与所述自由层之间；以及第二电极，耦接到所述自由层的侧壁。
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