[发明专利]一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，将MRAM的制造工艺嵌入到标准CMOS工艺之中，可以降低工艺难度，并可以改善磁隧道结的性能进而提高整个半导体器件的性能。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供包括半导体衬底、位于所述半导体衬底的内核阵列区以及外围区的晶体管、位于所述半导体衬底上的层间介电层、位于所述层间介电层内的用于连接磁隧道结的第一金属插塞、以及位于所述层间介电层之上的金属间介电层的前端器件；步骤S102：在所述金属间介电层上形成第一介电阻挡层，形成贯穿所述第一介电阻挡层与所述金属间介电层并连接所述第一金属插塞的第二金属插塞；步骤S103：形成覆盖所述第一介电阻挡层的第二介电阻挡层，并在所述第二介电阻挡层内形成位于所述第二金属插塞上方的接触孔；步骤S104：在所述接触孔内形成连接所述第二金属插塞的导电连接层；步骤S105：在所述第二介电阻挡层上形成位于所述导电连接层上方并与所述导电连接层相连接的磁隧道结，所述磁隧道结包括依次层叠的磁隧道结材料、第一导电硬掩膜层和第二导电硬掩膜层；其中，在步骤S104中和步骤S105中形成所述第一导电硬掩膜层和所述第二导电硬掩膜层的工艺与标准CMOS工艺的后段制程兼容。