[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201380028160.0 | 申请日： | 2013-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN104380473B | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;肥塚纯一;岛行德;德永肇 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C23C14/34;G02F1/1368;H01L51/50;H05B33/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 吴宗颐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一个方式的目的之一是提供一种在使用氧化物半导体的半导体装置中防止电特性变动的可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种半导体装置，包括接触于源电极层及漏电极层的第一氧化物半导体层；以及成为晶体管的主要电流路径(沟道)的第二氧化物半导体层。第一氧化物半导体层用作用来防止源电极层及漏电极层的构成元素扩散到沟道的缓冲层。通过设置第一氧化物半导体层，可以防止该构成元素扩散到第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层的界面及第二氧化物半导体层中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：栅电极层；所述栅电极层上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上的第一氧化物半导体层，该第一氧化物半导体层包含铟及镓；所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，该第二氧化物半导体层包含铟及镓；所述第二氧化物半导体层上的源电极层；以及所述第二氧化物半导体层上的漏电极层，其中，在所述第一氧化物半导体层中所述铟的含量大于所述镓的含量，在所述第二氧化物半导体层中所述铟的含量为所述镓的含量以下，所述第二氧化物半导体层包含所述源电极层和所述漏电极层的构成元素中的至少一种，并且，所述第二氧化物半导体层是结晶氧化物半导体层。
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