[发明专利]用于低功率闪存存储器的电压模式感测有效
| 申请号： | 201380020309.0 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN104246895B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | K·K·沃尔什;P·B·帕特森;G·W·本顿;J·D·威尔金森 | 申请（专利权）人： | 美敦力公司 |
| 主分类号： | G11C16/28 | 分类号： | G11C16/28;G11C16/26;G11C7/08;G11C7/22;G11C7/14;G11C11/00;G11C17/12;G11C29/50 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 宋静娴 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 电可擦除闪存存储器具有包括至少一行(24，44)存储器单元(10，30)的存储器阵列(50)。每个存储器单元具有数据状态。电压感测电路(54)选择性地耦合至存储器单元中的单独存储器单元并且配置成采用偏置电流和偏置电阻中的至少一个来偏置它们以读取所选单独存储器单元的数据状态。参考位线(66)向感测电路(54)提供所选位线(26)上的数据可被精确读取的指示。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 功率 闪存 存储器 电压 模式 | ||
【主权项】：
一种电可擦除闪存存储器，包括：多个数据存储元件，所述数据存储元件配置成存储多个数据位，所述多个数据位的每一个具有数据状态；除所述多个数据存储元件之外的参考存储元件，所述参考存储元件用于存储参考值；以及电压感测电路，所述电压感测电路选择性地耦合至所述多个数据存储元件和所述参考存储元件，并且所述电压感测电路配置成采用偏置电流和偏置电阻中的至少一个来偏置所述多个数据存储元件中的单独数据存储元件以及所述参考存储元件，并且读取存储在所述多个数据存储元件内的所述多个数据位中的单独数据位的所述数据状态，其中，来自所述参考存储元件的输出提供指示：来自所述多个数据存储元件的数据读出为有效的。
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