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[发明专利]抗辐射加固预放电型灵敏放大器及其控制方法-CN202310637654.4在审
发明人：曹安妮;李鑫;张彦龙;王亮;赵元富 -专利权人：北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：本发明属于非易失新型存储领域，具体涉及了一种抗辐射加固预放电型灵敏放大器及其控制方法，旨在解决现有的存储单元外围基于MOS管的电路仍然对空间辐射效应敏感的问题。本发明包括：预先放电部分通过第一传感支路和第二传感支路连接至充电传感部分；充电传感部分包括PMOS管PM0和PM1并连接至VDD；第一反馈支路的第一端连接PM0，第二端连接PM1第三端连接至第一传感支路，第四端连接第二传感支路；第一传感支路通过第二反馈支路连接至第二传感支路；第二传感支路通过第三反馈支路连接至第一传感支路。本发明通过为放大器设置3条反馈支路，加速了数据单元和对比单元所在的传感支路的放电时间，稳定增大第零输出节点V0和第一输出节点V1的电压差。
辐射加固放电灵敏放大器及其控制方法

[发明专利]存储器系统中的并发补偿-CN202211685136.1在审
发明人： H·V·加达姆塞蒂 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：本申请案涉及存储器系统中的并发补偿。一种实例方法可用于在存储器阵列中执行并发补偿。所述实例方法可包含解码对应于存储器阵列垫的第一行区段的相应首要存储器单元行的首要行地址以提供首要区段信号，且响应于确定所述首要行地址与有缺陷的首要行地址匹配，提供对应于所述存储器阵列垫的第二行区段的相应冗余存储器单元行的冗余区段信号。响应于所述首要区段信号，在耦合到所述第一行区段的第一感测电路系统上启动第一阈值电压补偿操作；及响应于所述冗余区段信号指示有缺陷的首要行，与所述第一阈值电压补偿操作并发地在耦合到所述第二行区段的第二感测电路系统上启动第二阈值电压补偿操作。
存储器系统中的并发补偿

[发明专利]补偿跳脱电压的变化的存储器装置及其读取方法-CN201710888700.2有效
发明人：金采勋;姜奎满;劝兑哄;李泰润;千镇泳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：一种补偿跳脱电压的变化的存储器装置及其读取方法。操作存储器装置的方法包括：通过对存储器装置的页缓冲器内的读出锁存器的跳脱电压进行采样来将页缓冲器内的读出节点至少部分地充电至第一预充电电压。因此，读出节点的电压从第一预充电电压被升压到更高的第二预充电电压。然后，在读出节点根据所述存储器装置的存储器单元中的数据对读出节点的电压进行开发。经开发的电压随后被传送到读出锁存器，使得由读出锁存器存储的数据反映存储在存储器单元中的数据的值。
补偿跳脱电压变化存储器装置及其读取方法

[发明专利]半导体装置及电子设备-CN202180062455.4在审
发明人：山崎舜平;木村肇;鱼地秀贵;宫口厚;井上达则 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：提供一种能够进行非破坏读出的低功耗半导体装置。该半导体装置包括具有第一晶体管及第一FTJ元件的第一电路、具有第二晶体管及第二FTJ元件的第二电路。第一晶体管的第一端子与第一FTJ元件的输出端子电连接，第二晶体管的第一端子与第二FTJ元件的输入端子电连接。此外，第一晶体管的第二端子及第二晶体管的第二端子与读出电路电连接。作为数据写入方法，对第一FTJ元件及第二FTJ元件各自的输入端子‑输出端子间施加电压，使得第一FTJ元件及第二FTJ元件发生极化。作为数据读出方法，将流过第一FTJ元件及第二FTJ元件的差分电流输入到读出电路。
半导体装置电子设备

[发明专利]半导体装置以及电子设备-CN202180061509.5在审
发明人：山崎舜平;木村肇;国武宽司;惠木勇司;井坂史人 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：提供一种功耗得到降低且能够进行非破坏性读出的半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管、第一FTJ元件以及第二FTJ元件。第一晶体管的第一端子与第一FTJ元件的输出端子及第二FTJ元件的输入端子电连接。当写入数据时，根据数据在第一FTJ元件及第二FTJ元件的每一个中引起极化。当读出数据时，对第一FTJ元件的输出端子与第二FTJ元件的输入端子之间供应极化不变的程度的电压。此时，使第一晶体管成为开启状态，由此流过第一FTJ元件的电流与流过第二FTJ元件的电流之差分电流流过第一晶体管。通过使用读出电路等取得该差分电流，可以读出写入在第一FTJ元件及第二FTJ元件中的数据。
半导体装置以及电子设备

[发明专利]数据传输电路及存储器-CN202110963315.6在审
发明人：武贤君;尚为兵;石小庆 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：本申请涉及一种数据传输电路及存储器，包括感测放大电路、第一子放电通路、第二子放电通路及放电调节单元，感测放大电路用于根据其第一端的信号、第二端的信号生成放大信号；第一子放电通路用于在读取状态时，根据所述第一数据线的信号对所述第一端向放电端进行放电；第二子放电通路用于在读取状态时，根据所述放电调节信号对所述第二端向放电端进行放电；放电调节单元与所述第二子放电通路及控制信号均电连接，且不与所述第一子放电通路电连接，用于根据所述控制信号生成所述放电调节信号，以调节所述第二子放电通路的放电能力。本申请提高了数据传输电路的抗干扰能力及数据传输效率。
数据传输电路存储器

[发明专利]灵敏放大器及控制方法-CN202211348875.1在审
发明人：武贤君;李明浩 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：本申请提供一种灵敏放大器及控制方法，包括感测模块和均衡模块，感测模块的第一输入端连接位线，第二输入端连接互补位线，均衡模块的第一端连接感测模块的读出互补位线，第二端连接感测模块的读出位线，第三端连接预充电电源端，控制端接收第一控制信号和第二控制信号。在电荷共享阶段的初始阶段，均衡模块先消除读出互补位线和读出位线在偏差消除阶段产生的电压差，而后响应第二控制信号，将读出互补位线和读出位线的电压驱动至预充电电压。则感测模块能够在电压差被均衡模块消除之后，响应于隔离控制信号，将位线和互补位线上的电压值，准确地共享至读出互补位线和读出位线，保证灵敏放大器放大输出的结果的准确性。
灵敏放大器控制方法

[发明专利]灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法-CN202010733146.2有效
发明人：彭春雨;王子健;卢文娟;吴秀龙;何军;李新;应战;曹堪宇;蔺智挺;陈军宁 -专利权人：安徽大学;长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法，涉及半导体存储器技术领域。该灵敏放大器包括：放大模块，被配置为当灵敏放大器处于放大阶段时，对位线或参考位线传输的电压进行放大；第一开关模块，被配置为当灵敏放大器针对位线进行读操作且灵敏放大器处于放大阶段时，控制放大模块与参考位线断开。本公开可以减小灵敏放大器的功耗。
灵敏放大器存储器控制方法

[发明专利]用于生成读控制信号的控制电路、存储器-CN202211038306.7在审
发明人：徐依然;马继荣 -专利权人：北京紫光青藤微系统有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：本申请涉及电路控制技术领域，公开一种用于生成读控制信号的控制电路及存储器。该控制电路在电源电压VCC变大时，延时反相电压VA释放时间变长，由于参考电压VREF与电源电压VCC成正比，因此VREF也同时变大，能够使得经过比较器电路后输出的读控制信号PREb脉宽变窄，即基于参考电压VREF生成的延时反相电压VA受电源电压VCC波动的影响较小，进而减小了读控制信号PREb受电源电压VCC波动的影响，提高了读控制信号的稳定性。本申请还公开一种存储器。
用于生成控制信号控制电路存储器

[发明专利]灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法-CN202010734507.5有效
发明人：吴秀龙;赵丽;赵阳扩;何军;李新;应战;曹堪宇;卢文娟;彭春雨;蔺智挺;陈军宁 -专利权人：安徽大学;长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法，涉及半导体存储器技术领域。该灵敏放大器包括：放大模块；偏移电压存储单元，与放大模块电连接，用于在灵敏放大器的偏移消除阶段，存储放大模块的偏移电压；负载补偿单元，与放大模块电连接，用于在灵敏放大器的放大阶段，补偿所述放大模块的负载的差异。本公开可以提高灵敏放大器读取数据的准确性。
灵敏放大器存储器控制方法

[发明专利]灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法-CN202010811687.2有效
发明人：彭春雨;葛骏林;何军;应战;李新;曹堪宇;卢文娟;蔺智挺;吴秀龙;陈军宁 -专利权人：安徽大学;长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法，涉及半导体存储器技术领域。灵敏放大器包括：放大模块；控制模块，与放大模块电连接；其中，在灵敏放大器的失调补偿阶段，控制模块用于将放大模块配置为包括二极管结构、电流镜结构和输入输出相连的反相器；在灵敏放大器的第一放大阶段，控制模块用于将放大模块配置为反相器。本公开可以实现灵敏放大器的失调补偿，进而提高半导体存储器的性能。
灵敏放大器存储器控制方法

[发明专利]灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法-CN202010902476.X有效
发明人：蔺智挺;温光雷;何军;应战;李新;曹堪宇;卢文娟;彭春雨;吴秀龙;陈军宁 -专利权人：安徽大学;长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法，涉及半导体存储器技术领域。灵敏放大器包括：放大模块；用于读取存储单元的数据；控制模块，与放大模块电连接；其中，在灵敏放大器的第一失调补偿阶段，控制模块用于将放大模块配置为包括第一反相器和第二反相器，第一反相器和第二反相器均为输入输出相连的反相器；在灵敏放大器的第二失调补偿阶段，控制模块用于将放大模块配置为包括电流镜结构。本公开可以实现灵敏放大器的失调补偿，进而提高半导体存储器的性能。
灵敏放大器存储器控制方法

[发明专利]灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法-CN202010734502.2有效
发明人：卢文娟;赵阳扩;何军;李新;应战;曹堪宇;彭春雨;吴秀龙;蔺智挺;陈军宁 -专利权人：安徽大学;长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法，涉及半导体存储器技术领域。该灵敏放大器包括：放大模块，放大模块用于读取第一位线或第二位线上存储单元的数据；第一偏移电压存储单元和第二偏移电压存储单元，分别与放大模块电连接；其中，在读取第一位线上存储单元中数据的情况下，在灵敏放大器的偏移消除阶段，灵敏放大器被配置为将灵敏放大器的偏移电压存储在第一偏移电压存储单元中；在读取第二位线上存储单元中数据的情况下，在灵敏放大器的偏移消除阶段，灵敏放大器被配置为将灵敏放大器的偏移电压存储在第二偏移电压存储单元中。本公开可以实现灵敏放大器的偏移消除。
灵敏放大器存储器控制方法

[发明专利]灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法-CN202010733096.8有效
发明人：彭春雨;王子健;卢文娟;吴秀龙;何军;李新;应战;曹堪宇;蔺智挺;陈军宁 -专利权人：安徽大学;长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法，涉及半导体存储器技术领域。该灵敏放大器包括：放大模块，用于读取位线或参考位线上存储单元的数据；第一开关模块，被配置为当灵敏放大器针对位线读第一状态且灵敏放大器处于放大阶段时，控制放大模块与参考位线断开；当灵敏放大器针对位线读第二状态且灵敏放大器处于放大阶段时，控制放大模块与参考位线连接。本公开可以减小灵敏放大器的功耗。
灵敏放大器存储器控制方法

[发明专利]灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法-CN202010733140.5有效
发明人：彭春雨;赵阳扩;卢文娟;吴秀龙;蔺智挺;陈军宁;李新;季汝敏;何军;应战 -专利权人：安徽大学;长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法，涉及半导体存储器技术领域。该灵敏放大器包括：放大模块；偏移电压存储单元，与放大模块电连接；其中，在灵敏放大器的偏移消除阶段，灵敏放大器被配置为包含电流镜结构，以将放大模块的偏移电压存储在偏移电压存储单元中。本公开可以实现灵敏放大器的偏移消除。
灵敏放大器存储器控制方法

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