[实用新型]一种半导体突波抑制器封装体结构有效
| 申请号： | 201320255008.3 | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN203300625U | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 张仓生;郭宗裕;王自强 | 申请（专利权）人： | 昆山东日半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L25/07 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林;郭晓敏 |
| 地址： | 215332 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体突波抑制器封装体结构，包括第一导电片、第二导电片、突波抑制器、涂覆层、保护层、第一引线和第二引线，所述的突波抑制器为一PN接合型半导体晶粒，其设置在第一导电片和第二导电片中间，且分别与第一导电片和第二导电片以焊锡导电相连接，所述的涂覆层包覆在第一导电片、第二导电片和突波抑制器的外部，而保护层则包覆在涂覆层的外部，涂覆层的厚度小于突波抑制器的长度，而第一引线的一端与第一导电片连接，另一端穿过涂覆层和保护层露在外部，同样所述的第二导线的一端与第二导电片连接，另一端穿过涂覆层和保护层露在外部。本实用新型散热效果好、成本低、且具有绝缘、防水、耐高温、以及更好的可靠度的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 抑制器 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体突波抑制器封装体结构，其特征在于，包括第一导电片、第二导电片、突波抑制器、涂覆层、保护层、第一引线和第二引线，所述的突波抑制器为一PN接合型半导体晶粒，其设置在第一导电片和第二导电片中间，且分别与第一导电片和第二导电片以焊锡导电相连接，所述的涂覆层包覆在所述的第一导电片、第二导电片和突波抑制器的外部，而所述的保护层则包覆在涂覆层的外部，所述的涂覆层的厚度小于突波抑制器的长度，而所述的第一引线的一端与第一导电片连接，另一端穿过涂覆层和保护层露在外部，同样所述的第二导线的一端与第二导电片连接，另一端穿过涂覆层和保护层露在外部。
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