[实用新型]整流半导体芯片封装结构

摘要

本实用新型公开一种整流半导体芯片封装结构，肖特基芯片由第一肖特基芯片和第二肖特基芯片组成；导电基盘由散热区和基盘引脚区组成，此基盘引脚区由若干个相间排列的负极引脚组成，此负极引脚一端与散热区端面电连接，散热区位于第一肖特基芯片和第二肖特基芯片正下方且与第一肖特基芯片和第二肖特基芯片负极之间通过软焊料层电连接；第一导电焊盘和第二导电焊盘位于第一肖特基芯片和第二肖特基芯片另一侧，第一导电焊盘和第二导电焊盘各自均包括焊接区和引脚区，焊接区与引脚区的连接处具有一折弯部；金属线跨接于肖特基芯片的正极与导电焊盘的焊接区之间。本实用新型封装结构既有利于进一步缩小器件的体积，也减少器件中部件的数目，同时由于散热区和基盘引脚区为一个整体，提高了电性能的稳定性。

主权项

一种整流半导体芯片封装结构，包括肖特基芯片（1）、包覆于肖特基芯片（1）四周的环氧树脂层（2），其特征在于：还包括导电基盘（3）、第一导电焊盘（4）和第二导电焊盘（10），所述肖特基芯片（1）由第一肖特基芯片（11）和第二肖特基芯片（12）组成；所述导电基盘（3）由散热区（31）和基盘引脚区（32）组成，此基盘引脚区（32）由若干个相间排列的负极引脚（321）组成，此负极引脚（321）一端与散热区（31）端面电连接，所述散热区（31）位于第一肖特基芯片（11）和第二肖特基芯片（12）正下方且与第一肖特基芯片（11）和第二肖特基芯片（12）负极之间通过软焊料层（6）电连接；所述第一导电焊盘（4）和第二导电焊盘（10）位于第一肖特基芯片（11）和第二肖特基芯片（12）另一侧，所述第一导电焊盘（4）和第二导电焊盘（10）各自均包括焊接区（7）和引脚区（8），焊接区（7）与引脚区（8）的连接处具有一折弯部（9），从而使得焊接区（7）高于引脚区（8）；第一金属线（51）跨接于所述第一肖特基芯片（11）的正极与第一导电焊盘（4）的焊接区（7）之间，第二金属线（52）跨接于所述第二肖特基芯片（12）的正极与第二导电焊盘（10）的焊接区（7）之间。