[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本公开涉及制造半导体器件的方法。实现了具有非易失性存储器的半导体器件的特性的改进。形成第一MISFET、第二MISFET和存储器单元，并在其上形成由氧化硅膜制成的停止膜。然后，在停止膜上，形成由氮化硅膜制成的应力施加膜，并去除第二MISFET和存储器单元上的应力施加膜。之后，进行热处理以给第一MISFET施加应力。因此，SMT没有给每个元件施加，而是选择性地施加。这可以减少由于形成应力施加膜的氮化硅膜中的H（氢）而导致的第二MISFET的劣化的程度。这还可以减少由于形成应力施加膜的氮化硅膜中的H（氢）而导致的存储器单元的特性的劣化的程度。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：（a）提供半导体衬底，其具有形成于第一区域中的第一MISFET和形成于第二区域中的第二MISFET；（b）在第一MISFET和第二MISFET上形成第一绝缘膜；（c）在第一绝缘膜上形成第二绝缘膜；（d）在第二区域中从其去除第二绝缘膜；以及（e）在步骤（d）之后，进行热处理以给第一MISFET施加应力，其中第一MISFET的栅极长度小于第二MISFET的栅极长度。