[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201310722167.4 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104078493A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 末代知子;小仓常雄;押野雄一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 杨谦;胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置包括第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第一导电型的第二半导体区域、第二导电型的第三半导体区域、第二导电型的第四半导体区域、第二电极以及第一中间金属膜。第一半导体区域设在第一电极之上，具有第一杂质浓度。第二半导体区域设在第一半导体区域之上，具有比第一杂质浓度高的第二杂质浓度。第三半导体区域及第四半导体区域设在第二半导体区域之上。第三半导体区域具有第三杂质浓度。第四半导体区域具有比第三杂质浓度低的第四杂质浓度。第二电极设在第三半导体区域及第四半导体区域之上，与第三半导体区域欧姆接触。第一中间金属膜设在第二电极与第四半导体区域之间，与第四半导体区域进行肖特基接合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：第一电极；第一导电型的第一半导体区域，设在上述第一电极之上，具有第一杂质浓度；第一导电型的第二半导体区域，设在上述第一半导体区域之上，具有比上述第一杂质浓度高的第二杂质浓度；第二导电型的第三半导体区域，设在上述第二半导体区域之上，具有第三杂质浓度；第二导电型的第四半导体区域，设在上述第二半导体区域之上，具有比上述第三杂质浓度低的第四杂质浓度；第二电极，设在上述第三半导体区域及上述第四半导体区域之上，与上述第三半导体区域欧姆接触；以及第一中间金属膜，设在上述第二电极与上述第四半导体区域之间，与上述第四半导体区域进行肖特基接合。
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