[发明专利]多量程CMOS MEMS电容式压力传感器芯片无效
| 申请号： | 201310676335.0 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103644985A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 薛惠琼;王玮冰;田龙坤 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 殷红梅;刘海 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多量程CMOS MEMS电容式压力传感器芯片，包括玻璃基座和硅基底，其特征是：在所述硅基底上设置第一压力传感器单元、第二压力传感器单元、第三压力传感器单元、第四压力传感器单元、第五压力传感器单元和第六压力传感器单元；所述第一压力传感器单元、第二压力传感器单元、第三压力传感器单元、第四压力传感器单元、第五压力传感器单元和第六压力传感器单元包括上电极、下电极和压力膜；所述第一压力传感器单元、第二压力传感器单元、第三压力传感器单元、第四压力传感器单元、第五压力传感器单元和第六压力传感器单元的下电极通过金属铝线合并连接。本发明采用多个不同尺寸的电容压力传感器单元实现多量程，灵敏度高，量程范围大。 | ||
| 搜索关键词： | 多量 cmos mems 电容 压力传感器 芯片 | ||
【主权项】：
一种多量程CMOS MEMS电容式压力传感器芯片，包括玻璃基座（106）和设置在玻璃基座（106）上的硅基底（111），其特征是：在所述硅基底（111）上表面设置第一压力传感器单元（201）、第二压力传感器单元（202）、第三压力传感器单元（203）、第四压力传感器单元（204）、第五压力传感器单元（205）和第六压力传感器单元（206）；所述第一压力传感器单元（201）、第二压力传感器单元（202）、第三压力传感器单元（203）、第四压力传感器单元（204）、第五压力传感器单元（205）和第六压力传感器单元（206）分别包括上电极（301）、下电极（302）和压力膜（303）；所述第一压力传感器单元（201）、第二压力传感器单元（202）、第三压力传感器单元（203）、第四压力传感器单元（204）、第五压力传感器单元（205）和第六压力传感器单元（206）的下电极（302）分别通过金属铝线（207）合并连接后输出。
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