[发明专利]用于在衬底中制造电覆镀通孔的方法以及具有电覆镀通孔的衬底

摘要

本发明提供一种用于在衬底中制造电覆镀通孔的方法以及具有电覆镀通孔的衬底。所述方法具有以下步骤：在衬底的前侧上形成蚀刻停止层；在衬底的背侧上形成掩膜；在衬底中形成环形沟槽，环形沟槽在使用掩膜的情况下通过蚀刻工艺从背侧延伸直至前侧，所述蚀刻工艺在蚀刻停止层处停止，其中沟槽包围衬底凸柱；在使用掩膜的情况下，在衬底的背侧上沉积金属层，其中金属层侵入环形沟槽中并且沉淀在衬底凸柱上；通过至少部分地将金属层转变到衬底凸柱上的金属硅化物层，在衬底凸柱上形成金属硅化物层；选择性地移除金属层的剩余部分；以及在衬底的背侧上封闭环形沟槽。

主权项

1.一种用于在具有前侧(V)和背侧(R)的衬底(2)中制造电覆镀通孔(WDK)的方法，所述方法具有以下步骤：在所述衬底(2)的前侧(V)上形成蚀刻停止层(IU，15’)；在所述衬底(2)的背侧(R)上形成掩膜；在所述衬底(2)中形成环形沟槽(20)，所述环形沟槽在使用所述掩膜的情况下通过蚀刻工艺从所述背侧(R)延伸直至所述前侧(V)，所述蚀刻工艺在所述蚀刻停止层(IU，15’)处停止，其中，所述沟槽(20)包围衬底凸柱(2a)；在使用所述掩膜的情况下，在所述衬底(2)的背侧(R)上沉积金属层(40)，其中，所述金属层(40)侵入所述环形沟槽(20)中并且沉淀在所述衬底凸柱(2a)上；通过至少部分地将所述金属层(40)转变到所述衬底凸柱(2a)上的金属硅化物层(41)，在所述衬底凸柱(2a)上形成所述金属硅化物层(41)；选择性地移除所述金属层(40)的剩余部分；以及在所述衬底(2)的背侧(R)上封闭所述环形沟槽(20)。