[发明专利]等离子体处理设备和等离子体处理方法无效
| 申请号： | 201310443329.0 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103681196A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 宇井明生;林久贵;富冈和广;山本洋;今村翼 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 彭里 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在一个实施例中，等离子体处理设备包括：室；导入部；反电极；高频电源；和多个低频电源。基板电极被设置在室中，基板被直接地或者间接地放置在基板电极上，并且基板电极具有多个电极元件组。导入部将处理气体导入到室中。高频电源输出用于使处理气体离子化、以生成等离子体的高频电压。多个低频电源将多个20MHz以下的低频电压施加到多个电极元件组中的每一电极元件组，多个20MHz以下的低频电压具有相互不同的相位，用于导入来自等离子体的离子。还提供一种等离子体处理方法。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理设备，其特征在于，包括：室；将处理气体导入到所述室中的导入部：设置在所述室中的基板电极，基板被直接地或者间接地放置在所述基板电极上，并且所述基板电极具有多个电极元件组；高频电源，所述高频电源输出用于使所述处理气体离子化以生成等离子体的高频电压；以及多个低频电源，所述多个低频电源将多个20MHz以下的低频电压施加到所述多个电极元件组中的每一电极元件组，所述多个20MHz以下的低频电压具有相互不同的相位，用于导入来自所述等离子体的离子。
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