[发明专利]等离子体处理设备和等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理设备，其特征在于，包括：

室；

将处理气体导入到所述室中的导入部：

设置在所述室中的基板电极，基板被直接地或者间接地放置在所述基板电极上，并且所述基板电极具有多个电极元件组；

高频电源，所述高频电源输出用于使所述处理气体离子化以生成等离子体的高频电压；以及

多个低频电源，所述多个低频电源将多个20MHz以下的低频电压施加到所述多个电极元件组中的每一电极元件组，所述多个20MHz以下的低频电压具有相互不同的相位，用于导入来自所述等离子体的离子。

2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，

所述基板电极包括多个电极元件，所述多个电极元件具有沿着预定方向的轴。

3.如权利要求1所述的设备，其特征在于，

所述基板电极具有由顺序和重复布置的多个第一到第n个电极元件指定的第一到第n个电极元件组，n是2以上的整数；并且

所述多个低频电源具有第一到第n个低频电源，所述第一到第n个低频电源将具有不同相位的第一到第n个低频电压施加到所述第一到第n个电极元件组。

4.如权利要求3所述的设备，其特征在于，

施加到相邻电极元件的低频电压之间的相位相差π/2。

5.如权利要求3所述的设备，其特征在于，

施加到相邻电极元件的低频电压之间的相位相差（2π/n），n是3以上的整数。

6.如权利要求3所述的设备，其特征在于，

所述基板电极具有第一到第四电极元件组；以及

施加到所述第一到第四电极元件组的第一到第四低频电压各自的相位是0、±π/2、±π、和±3π/2。

7.如权利要求2所述的设备，其特征在于，

相邻电极元件之间的间隔是5mm以下。

8.如权利要求2所述的设备，其特征在于，进一步包括：

第二基板电极，所述第二基板电极包括多个电极元件，所述多个电极元件具有沿着与所述预定方向不同的方向的轴；以及

切换单元，所述切换单元通过切换所述基板电极和所述第二基板电极，来施加所述高频电压和所述多个低频电压。

9.如权利要求1所述的设备，其特征在于，进一步包括：

旋转机构，所述旋转机构使所述基板相对于所述基板电极相对地旋转。

10.如权利要求1所述的设备，其特征在于，

所述基板电极包括多个电极元件，所述多个电极元件在两个方向上被布置成行；以及

其中，所述设备进一步包括：

选择单元，所述选择单元从所述多个电极元件选择沿着一个方向布置的所述多个电极元件组；以及

控制单元，所述控制单元控制所述选择单元，以使得所述一个方向被顺序地旋转。

11.如权利要求10所述的设备，其特征在于，

所述多个电极元件在相互不同的第一和第二方向上被布置成行；

其中，所述选择单元选择沿着所述第一方向布置的多个第一电极元件组、沿着所述第二方向布置的多个第二电极元件组、沿着作为所述第一方向和所述第二方向之间的中间方向的第三方向布置的多个第三电极元件组、以及沿着作为所述第二方向和所述第一方向之间的中间方向的第四方向布置的多个第四电极元件组中的任何电极元件组；和

其中，所述控制单元使得所述选择单元周期地选择所述多个第一、第三、第二和第四电极元件组。

12.如权利要求1所述的设备，其特征在于，进一步包括：

相位调整器，所述相位调整器按照等离子体处理过程的进展，改变来自所述多个低频电源的所述多个低频电压的所述相位。

13.如权利要求1所述的设备，其特征在于，进一步包括：

吸引电极，所述吸引电极被设置在所述基板和所述基板电极之间，并且具有多个开口；和

直流电源将直流电压施加到所述吸引电极，以使得所述吸引电极吸引所述基板。

14.如权利要求13所述的设备，其特征在于，

所述多个开口中的每一个开口的宽度不少于2mm，也不大于5mm。