[发明专利]等离子体处理的方法有效
| 申请号： | 201310436381.3 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN103474328A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 叶如彬;浦远 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种等离子体处理的方法，包括：对待处理基底进行第一等离子体处理，通入第一反应气体到反应腔，第一射频功率源输出射频功率到反应腔，第一射频功率源的输出频率为第一频率；对待处理基底进行第二等离子体处理，通入第二反应气体到反应腔，第一射频功率源输出射频功率到反应腔，自动调节第一射频功率源的输出频率获得第二频率，使第一射频功率源与反应腔阻抗匹配；在第一等离子体处理和第二等离子体处理之间还包括过渡步骤，反应腔内的气体从第一反应气体转换为第二反应气体，设置第一射频功率源输出的射频功率具有处于第一频率到第二频率之间的预设频率，使过等离子保持点燃。所述等离子体处理的方法能够保持等离子体稳定，处理质量提高。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理的方法，其特征在于，包括：提供待处理基底到反应腔；对所述待处理基底进行第一等离子体处理，通入第一反应气体到反应腔，第一射频功率源输出射频功率到反应腔，自动调节所述第一射频功率源的输出频率获得第一频率，使第一射频功率源与反应腔阻抗匹配；在所述第一等离子体处理之后，对所述待处理基底进行第二等离子体处理，通入第二反应气体到反应腔，所述第一射频功率源输出射频功率到反应腔，自动调节所述第一射频功率源的输出频率获得第二频率，使第一射频功率源与反应腔阻抗匹配；在所述第一等离子体处理和第二等离子体处理之间，还包括过渡步骤，在所述过渡步骤中，反应腔内气体从第一反应气体转换为第二反应气体，设置第一射频功率源输出的射频功率具有预设频率，所述预设频率使过渡步骤中的等离子保持点燃，所述预设频率处于第一频率到第二频率的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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