[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310424148.3 | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103715260A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 玛利安乌德瑞·斯班内;法瑞尔玛瑞纳斯科 | 申请（专利权）人： | 凹凸电子(武汉)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管及其制造方法。LDMOS晶体管包括：第一导电类型的第一阱；形成于第一阱内的第二导电类型的源极；形成于第一阱内并与源极分开的第二导电类型的漂移区；形成于漂移区内的第二导电类型的漏极；及形成于漂移区内并与漏极分开的第二导电类型的集中器，集中器至源极的第一距离小于漏极至源极的第二距离。本发明的LDMOS晶体管及其制造方法提升了LDMOS晶体管的ESD性能，延长了LDMOS晶体管的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：第一导电类型的第一阱；形成于所述第一阱内的第二导电类型的源极；形成于所述第一阱内并与所述源极分开的所述第二导电类型的漂移区；形成于所述漂移区内的所述第二导电类型的漏极；及形成于所述漂移区内并与所述漏极分开的所述第二导电类型的集中器，所述集中器至所述源极的第一距离小于所述漏极至所述源极的第二距离。
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