[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201310410784.0 | 申请日： | 2013-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104425282A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 宋化龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成栅极介电层和栅极材料层；图案化所述栅极材料层和所述栅极介电层，以形成栅极；执行LDD注入；在所述半导体衬底上所述栅极的两侧形成侧墙结构；其中，所述LDD注入步骤包括第一离子注入步骤和第二离子注入步骤，先执行所述第一离子注入步骤再执行所述第二离子注入步骤或者先执行所述第二离子注入步骤再执行所述第一离子注入步骤，所述第一离子注入的离子剂包括硅或者锗；在执行LDD注入之后直接进行侧墙薄膜的热处理工艺。综上所述，本发明提出了一种新的半导体器件的制作方法，通过优化LDD离子注入以避免产生热载流子注入效应，在进行LDD离子注入的过程中，引入的Si注入或者Ge注入将产生较多的间隙，在进行磷注入的同时伴随着Si注入或者Ge注入，并且在形成侧墙薄膜之后增强了磷离子的瞬态增强扩散（TED）。减少了半导体器件中的横向电场，从而改善了热载流子注入效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括： 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底上依次形成栅极介电层和栅极材料层； 图案化所述栅极材料层和所述栅极介电层，以形成栅极； 执行LDD注入； 在所述半导体衬底上所述栅极的两侧形成侧墙结构； 其中，所述LDD注入步骤包括第一离子注入步骤和第二离子注入步骤，先执行所述第一离子注入步骤再执行所述第二离子注入步骤或者先执行所述第二离子注入步骤再执行所述第一离子注入步骤，所述第一离子注入的离子剂包括硅或者锗； 在执行LDD注入之后直接进行侧墙薄膜的热处理工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
