[发明专利]一种LED管芯片电极的制作方法、LED管芯片及LED管有效
| 申请号： | 201310386066.4 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103441193A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 刘晶;叶国光 | 申请（专利权）人： | 刘晶 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/40 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 529000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种焊线成本低，焊点可靠的LED芯片电极的制作方法，包括在衬底上依次生长出N型半导体层，发光层和P型半导体层，1）在所述P型半导体层上需要制作P型电极的区域镀上与P型半导体层非奥姆接触的第一电极接触层；2）在所述第一电极接触层上镀上电流阻挡层；3）在所述P型半导体层上，未被上述第一电极接触层和电流阻挡层覆盖的区域镀上电流扩散层；4）在所述电流阻挡层上镀上与电流扩散层欧姆接触的第二电极接触层；5）在所述第二电极接触层上镀上第三电极接触层；6）在所述第三电极接触层上采用化学方法镀上材料为金的电极焊线层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 电极 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LED管芯片电极的制造方法，包括在衬底上依次生长出N型半导体层，发光层和P型半导体层，其特征在于：1）在所述P型半导体层上需要制作P型电极的区域镀上与P型半导体层非奥姆接触的第一电极接触层；2）在所述第一电极接触层上镀上电流阻挡层；3）在所述P型半导体层上，未被上述第一电极接触层和电流阻挡层覆盖的区域镀上电流扩散层；4）在所述电流阻挡层上镀上与电流扩散层欧姆接触的第二电极接触层；5）在所述第二电极接触层上镀上第三电极接触层；6）在所述第三电极接触层上采用化学方法镀上材料为金的电极焊线层。
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