[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201310368556.1 | 申请日： | 2013-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN104425595B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 张雄世;张睿钧 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭露一种半导体装置及其制造方法，其中，所述装置包括一基板，其具有一主动区及位于主动区内的一场板区及一基体区，其中基体区位于场板区的一第一侧。至少一沟槽式栅极结构位于基体区的基板内。至少一源极掺杂区位于基体区的基板内，其中源极掺杂区围绕沟槽式栅极结构。一漏极掺杂区位于场板区的一第二侧的基板内，其中第二侧相对于第一侧，且其中从一上视方向来看，沟槽式栅极结构的长度的延伸方向垂直于漏极掺杂区的长度的延伸方向。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：一基板，具有一主动区及位于所述主动区内的一场板区及一基体区，其中所述基体区位于所述场板区的一第一侧；至少一沟槽式栅极结构，位于所述基体区的所述基板内；至少一源极掺杂区，位于所述基体区的所述基板内，其中所述至少一源极掺杂区围绕所述至少一沟槽式栅极结构；以及一漏极掺杂区，位于所述场板区的一第二侧的所述基板内，其中所述第二侧相对于所述第一侧，且其中从一上视方向来看，所述至少一沟槽式栅极结构的长度的延伸方向垂直于所述漏极掺杂区的长度的延伸方向。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于世界先进积体电路股份有限公司，未经世界先进积体电路股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310368556.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有硅化物的半导体器件
- 下一篇：有机EL显示装置
- 同类专利
- 专利分类
