[发明专利]隧道场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201310365871.9 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104425593B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 黄新运;丁士成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种隧穿场效应晶体管及其形成方法，所述隧穿场效应晶体管包括半导体衬底，所述半导体衬底包括鳍部；栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部的中部；源极，所述源极横跨所述鳍部的一端；漏极，位于所述鳍部的另一端；所述漏极的导电类型为第一导电类型，所述源极的导电类型为第二导电类型，所述第一导电类型和所述第二导电类型不同。本发明所提供隧穿场效应晶体管中PN结隧穿面积较大，隧穿场效应晶体管的工作电流较大，包括所提供隧穿场效应晶体管的器件的响应速度。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括鳍部；栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部的中部；源极，所述源极横跨所述鳍部的一端；漏极，位于所述鳍部的另一端；所述漏极的导电类型为第一导电类型，所述源极的导电类型为第二导电类型，所述第一导电类型和所述第二导电类型不同；所述隧穿场效应晶体管还包括源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区；所述源极轻掺杂区位于所述源极下方的鳍部内，所述漏极轻掺杂区位于所述漏极下方的鳍部内；所述源极轻掺杂区和所述漏极轻掺杂区的导电类型为第一导电类型。
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