[发明专利]隧道场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201310365871.9 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104425593B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 黄新运;丁士成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隧道 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
1.一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底包括鳍部；
栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部的中部；
源极，所述源极横跨所述鳍部的一端；
漏极，位于所述鳍部的另一端；
所述漏极的导电类型为第一导电类型，所述源极的导电类型为第二导电类型，所述第一导电类型和所述第二导电类型不同；
所述隧穿场效应晶体管还包括源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区；所述源极轻掺杂区位于所述源极下方的鳍部内，所述漏极轻掺杂区位于所述漏极下方的鳍部内；所述源极轻掺杂区和所述漏极轻掺杂区的导电类型为第一导电类型。
2.如权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述漏极位于所述鳍部内。
3.如权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述漏极横跨所述鳍部。
4.如权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述源极的材料包括硅、锗硅或者碳化硅。
5.如权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；或者，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
6.一种隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括鳍部；
形成横跨所述鳍部中部的栅极结构；
在所述鳍部的一端形成横跨所述鳍部的源极；
在所述鳍部的另一端形成漏极；
所述漏极的导电类型为第一导电类型，所述源极的导电类型为第二导电类型，所述第一导电类型和所述第二导电类型不同；
在形成所述源极和所述漏极之前，所述形成方法还包括：对所述鳍部的一端和另一端进行轻掺杂离子注入，所述轻掺杂离子注入的掺杂离子的导电类型为第一导电类型。
7.如权利要求6所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述漏极的方法包括：对所述鳍部的另一端进行重掺杂离子注入。
8.如权利要求6所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述漏极的方法包括：在所述鳍部的另一端形成横跨所述鳍部的漏极。
9.如权利要求6所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述源极的材料包括硅、锗硅或者碳化硅。
10.如权利要求9所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述源极的方法为：在进行外延生长工艺的同时进行离子掺杂，所述离子掺杂的离子的导电类型为第二导电类型。
11.如权利要求6所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；或者，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
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