[发明专利]半导体器件、集成电路及其制造方法在审
| 申请号： | 201310363695.5 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN103633063A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | P.伊尔西格勒;H-P.朗;A.迈泽尔;T.迈耶;M.聪德尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 胡莉莉;刘春元 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 发明涉及半导体器件、集成电路及其制造方法。半导体器件的一个实施例包括：具有第一侧面和与第一侧面相对的第二侧面的半导体主体。半导体器件进一步包括：第一接触沟槽，其在第一侧面处延伸到半导体主体中。第一接触沟槽包括电耦合到与第一接触沟槽邻近的半导体主体的第一导电材料。半导体器件进一步包括：第二接触沟槽，其在第二侧面处延伸到半导体主体中。第二接触沟槽包括电耦合到与第二接触沟槽邻近的半导体主体的第二导电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其包括：半导体主体，其包括第一侧面和与第一侧面相对的第二侧面；第一接触沟槽，其在第一侧面处延伸到半导体主体中，其中，第一接触沟槽包括电耦合到与第一接触沟槽邻近的半导体主体的第一导电材料；以及第二接触沟槽，其在第二侧面处延伸到半导体主体中，其中，第二接触沟槽包括电耦合到与第二接触沟槽邻近的半导体主体的第二导电材料。
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