[发明专利]半导体器件、集成电路及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件、集成电路及其制造方法。

背景技术

半导体器件和集成电路形成在半导体主体（例如，包括其上的可选的（多个）半导体层的半导体衬底）中。作为例子，诸如离子注入、层沉积和刻蚀之类的工艺允许将功能区（例如，n掺杂区和p掺杂区与电介质）引入半导体主体中。半导体器件和集成电路关于每个芯片面积的可靠性和功能性受到限制。因此，存在对改进的解决方案的需要。

发明内容

根据半导体器件的实施例，半导体器件包括：半导体主体，其包括第一侧面和与第一侧面相对的第二侧面。半导体器件进一步包括：第一接触沟槽，其在第一侧面处延伸到半导体主体中。第一接触沟槽包括电耦合到与第一接触沟槽邻近的半导体主体的第一导电材料。半导体器件进一步包括：第二接触沟槽，其在第二侧面处延伸到半导体主体中。第二接触沟槽包括电耦合到与第二接触沟槽邻近的半导体主体的第二导电材料。

根据集成电路的实施例，集成电路包括：半导体主体，其包括第一侧面和与第一侧面相对的第二侧面。半导体主体进一步包括经由深沟槽隔离来电绝缘的第一电路部分和第二电路部分。半导体主体经由第二侧面附接到载体。半导体主体进一步包括沿着第二侧面处的表面的台阶。

根据制造集成电路的方法的实施例，方法包括：在包括第一侧面和与第一侧面相对的第二侧面的半导体主体中形成第一电路部分和第二电路部分。方法进一步包括：在第一电路部分与第二电路部分之间的半导体主体中形成深沟槽隔离。方法进一步包括：沿着第二侧面处的表面在半导体主体中形成台阶。方法进一步包括：经由第二侧面将半导体主体附接到载体。

根据制造半导体主体的方法，方法包括：在衬底的第一侧面上形成图案。方法进一步包括：在衬底的第一侧面上形成半导体层。方法进一步包括：经由半导体层的表面将衬底和半导体层附接到载体。方法进一步包括：从与第一侧面相对的第二侧面去除衬底。

根据制造半导体器件的方法，方法包括：在半导体主体的第一侧面处形成栅极电介质和栅极电极。方法进一步包括：在与第一侧面相对的半导体主体的第二侧面处形成至少一个第一导电层。方法进一步包括：在该至少一个第一导电层上形成导电层图案，其中，导电层图案的厚度在0.5μm与50μm之间调整。

根据阅读以下的详细说明书并且根据观察附图，本领域的普通技术人员将认识到附加的特征和优点。

附图说明

附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入且构成该说明书的一部分。图图示了本发明的实施例，并且与说明书一起用来解释本发明的原理。将容易地领会本发明的其它实施例和意图的优点，这是因为通过参照以下的详细说明书它们将变得更好理解。图的元件不必相对于彼此成比例。同样的参考数字标示相应的类似部分。

图1是包括半导体主体的第一侧面处的第一接触沟槽以及半导体主体的第二侧面处的第二接触沟槽的半导体器件的一部分的示意与简化的横截面视图。

图2A是根据一个实施例的包括电耦合到第二接触沟槽的n掺杂区和p掺杂区的图1中图示的半导体主体的一部分的示意横截面视图。

图2B是根据另一个实施例的包括电耦合到第二接触沟槽的n掺杂区和p掺杂区的图1中图示的半导体主体的一部分的示意横截面视图。

图2C是根据一个实施例的包括电耦合到第二接触沟槽的n⁺掺杂区的图1中图示的半导体主体的一部分的示意横截面视图。

图2D是包括具有侧壁角α的第二接触沟槽的图1中图示的半导体主体的一部分的示意横截面视图。

图3是包括半导体主体的第一侧面处的第一接触沟槽和半导体主体的第二侧面处的第二接触沟槽的垂直场效应晶体管的一部分的示意横截面视图。

图4是经由半导体主体的第二侧面来安装到载体的图3的垂直场效应晶体管的一部分的示意横截面视图。

图5是半导体主体的一部分的示意横截面视图，所述半导体主体在相对的第一侧面512和第二侧面517处包括数个半导体器件，并且在半导体主体的第一侧面处包括第一接触沟槽，并且在半导体主体的第二侧面处包括第二接触沟槽。

图6是包括经由深沟槽隔离电绝缘的电路区块的集成电路的一部分的示意横截面视图。

图7是根据实施例的制造集成电路的方法的简化流程图。

图8A是于在第一电路部分与第二电路部分之间在第一侧面处形成深沟槽隔离并且从与第一侧面相对的第二侧面去除半导体主体之后，半导体主体的示意横截面视图。