[发明专利]单晶硅半导体晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 201310341923.9 | 申请日： | 2013-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN103578976A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | T·米勒;G·基辛格;D·科特;A·扎特勒 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;C30B15/00;C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李振东;过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及单晶硅半导体晶片及其制造方法。该半导体晶片具有不含BMD缺陷并且从半导体晶片的正面延伸至半导体晶片块体内的区域DZ以及包含BMD缺陷并且从DZ进一步延伸至半导体晶片块体内的区域。所述方法包括根据Czochralski法提拉硅单晶，将单晶加工成为经抛光的单晶硅基底晶片，对基底晶片快速的加热和冷却，对经过快速的加热和冷却的基底晶片缓慢的加热，及将该基底晶片在特定的温度下保持特定的时间。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 半导体 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
用于制造单晶硅半导体晶片的方法，该晶片具有不含BMD缺陷的区域DZ以及与DZ邻接的包含BMD缺陷的区域，该方法包括根据Czochralski法提拉硅单晶；将单晶加工成为经抛光的单晶硅基底晶片，该晶片从中心直至边缘由N区域组成或者具有尺寸大于20nm且其平均密度小于2.5×105/cm3的COP缺陷，而且该晶片的氮浓度不大于1×1012个原子/cm3，氧浓度不小于5.2×1017个原子/cm3且不大于6.0×1017个原子/cm3；在基本上由NH3和氩以不小于1:25且不大于1:5的体积比组成的气氛中将基底晶片快速加热至不小于1165℃且不大于1180℃的温度并快速冷却，其中加热速率和冷却速率不小于30K/s且不大于50K/s；将经过快速加热和冷却的基底晶片从不小于500℃且不大于550℃的温度以不小于0.5K/min且不大于1.5K/min的加热速率缓慢加热至不小于930℃且不大于1000℃的温度；及将基底晶片保持在不小于930℃且不大于1000℃的温度历时不小于7小时且不大于10小时。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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