[发明专利]一种全隔离结构的制作方法

摘要

一种全隔离结构的制作方法，包括：提供一个硅衬底；对硅衬底进行预处理，形成具有P型或N型中间硅层的复合层硅衬底；采用槽隔离工艺在复合层硅衬底中形成隔离槽，并在隔离槽内填充氧化层；刻蚀隔离槽内的部分氧化层，剩余部分氧化层的上表面与中间硅层顶部齐平；在复合层硅衬底上、剩余部分氧化层的上表面和隔离槽内侧壁形成一层氮化硅层；刻蚀去除剩余部分氧化层的上表面的氮化硅层；刻蚀剩余部分氧化层，直至暴露出中间硅层的侧壁；采用电化学腐蚀法腐蚀中间硅层，使中间硅层形成多孔硅层；进行热氧化工艺，在多孔硅层区域形成绝缘层；经槽隔离工艺，在复合层硅衬底中形成隔离结构。

主权项

一种全隔离结构的制作方法，其特征在于，包括：步骤S01：提供一个硅衬底；步骤S02：对所述硅衬底进行预处理，形成具有P型或N型中间硅层的复合层硅衬底；步骤S03：采用槽隔离工艺在所述复合层硅衬底中形成隔离槽，并在所述隔离槽内填充氧化层；步骤S04：刻蚀所述隔离槽内的部分氧化层，所述剩余部分氧化层的上表面与所述中间硅层顶部齐平；步骤S05：在所述复合层硅衬底上、所述剩余部分氧化层的上表面和所述隔离槽内侧壁形成一层氮化硅层；步骤S06：刻蚀去除所述剩余部分氧化层的上表面的氮化硅层；步骤S07：刻蚀所述剩余部分氧化层，直至暴露出所述中间硅层的侧壁；步骤S08：采用电化学腐蚀法腐蚀所述中间硅层，使所述中间硅层形成多孔硅层；步骤S09：进行热氧化工艺，在所述多孔硅层区域形成绝缘层；步骤S10：经槽隔离工艺，在所述复合层硅衬底中形成所述全隔离结构。