[发明专利]预烧结半导体芯片结构有效
| 申请号： | 201310317704.7 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103681525A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 罗兰·施佩克尔斯;拉尔斯·伯文;尼古拉斯·霍伊克;尼尔斯·厄施勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/14 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;李慧 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 将半导体芯片和干烧结料抵压在基片上形成一种烧结连接，所述干烧结料位于基片和半导体芯片之间，该干烧结料具有烧结颗粒和溶剂。在半导体芯片被压在基片上时，将基片加热至低于干烧结料的烧结温度，以在相邻烧结颗粒间形成局部烧结连接。局部烧结连接在烧结之前共同提供将半导体芯片固定至基片上的固定接合。在形成固定接合后，由干烧结料形成在半导体芯片与基片间的烧结连接。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 半导体 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种形成烧结连接的方法，包括：将半导体芯片与干烧结料抵压在基片上，所述干烧结料位于所述基片与所述半导体芯片之间，所述干烧结料包括烧结颗粒和溶剂；当所述半导体芯片被抵压在所述基片上时，将所述基片加热至低于所述干烧结料的烧结温度，以在相邻所述烧结颗粒间形成局部烧结连接，所述局部烧结连接在烧结之前共同提供将所述半导体芯片固定到所述基片上的固定接合；以及在形成所述固定接合后，由所述干烧结料形成所述半导体芯片和所述基片之间的烧结连接。
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