[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括提供衬底，衬底包括第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区的类型相反；在衬底上形成位于第一有源区的第一伪栅极结构、位于第二有源区的第二伪栅极结构，第一伪栅极结构包括第一栅介质层和第一伪栅极，第二伪栅极结构包括第二栅介质层和第二伪栅极；在衬底上形成层间介质层，层间介质层的上表面与第一伪栅极上表面、第二伪栅极上表面持平；去除第一伪栅极形成第一伪栅沟槽；去除第二伪栅极结构形成第二伪栅沟槽；在第二伪栅沟槽的底部和侧壁形成第三栅介质层。本发明的方案可以分别调整第一栅介质层和第三栅介质层的材料成分、厚度等参数，以改善对应第一栅介质层和第三栅介质层的晶体管的性能。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和第二有源区的类型相反；在所述衬底上形成位于第一有源区的第一伪栅极结构、位于第二有源区的第二伪栅极结构，所述第一伪栅极结构包括第一栅介质层和位于第一栅介质层上的第一伪栅极，所述第二伪栅极结构包括第二栅介质层和位于第二栅介质层上的第二伪栅极；在所述衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的上表面与第一伪栅极上表面、第二伪栅极上表面持平；去除所述第一伪栅极形成第一伪栅沟槽；去除所述第二伪栅极结构形成第二伪栅沟槽；在所述第二伪栅沟槽的底部和侧壁形成第三栅介质层。