[发明专利]在沟槽中包括电介质结构的半导体器件有效
| 申请号： | 201310313096.2 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103579309A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | H-P.费尔斯尔;F.希尔勒;F.J.尼德诺施泰德;H-J.舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/739;H01L29/772;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;卢江 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了在沟槽中包括电介质结构的半导体器件。一种半导体器件包括从第一表面延伸到半导体本体的漂移区中的沟槽。所述半导体器件还包括沟槽中的栅电极和邻接沟槽的侧壁的本体区。所述半导体器件还包括沟槽中的电介质结构。所述电介质结构包括沟槽的较低部分中的高k电介质。所述高k电介质包括比SiO2的介电常数高的介电常数。所述高k电介质在垂直于第一表面的垂直方向上的延伸被限制在沟槽的底侧和其中本体区的底侧邻接沟槽的侧壁的水平之间。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 包括 电介质 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：沟槽，其从第一表面延伸到半导体本体的漂移区中；在所述沟槽中的栅电极；本体区，其邻接所述沟槽的侧壁；在所述沟槽中的电介质结构，所述电介质结构包括所述沟槽的较低部分中的高k电介质，其中所述高k电介质包括比SiO2的介电常数高的介电常数；以及其中所述高k电介质在垂直于第一表面的垂直方向上的延伸被限制在所述沟槽的底侧和其中所述本体区的底侧邻接所述沟槽的侧壁的水平之间。
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