[发明专利]硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法有效
| 申请号： | 201310306968.2 | 申请日： | 2013-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN103390591A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 周旭亮;于红艳;李士颜;潘教青;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8258 | 分类号： | H01L21/8258 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种硅基高迁移率III-V/Ge沟道的CMOS制备方法，包括：在硅衬底上生长锗层；第一次退火后，在锗层上依次生长低温成核砷化镓层、高温砷化镓层、在生长半绝缘InGaP层和砷化镓盖层，形成样品；将样品的砷化镓盖层进行砷化镓抛光工艺，将样品进行第二次退火后生长nMOSFET结构；在nMOSFET结构的表面，选区ICP刻蚀，从nMOSFET结构向下刻蚀到锗层，形成凹槽，并在凹槽内及nMOSFET结构的表面PECVD生长二氧化硅层；在选区刻蚀的位置再次进行ICP刻蚀二氧化硅层到锗层，形成沟槽；清洗样品，采用超高真空化学气相沉积的方法，在沟槽内生长锗成核层和锗顶层；对锗顶层进行抛光，并去掉nMOSFET结构上的部分二氧化硅层；在nMOSFET结构和锗顶层上进行源、漏和栅的CMOS工艺完成器件的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基高 迁移率 ge 沟道 cmos 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基高迁移率III‑V/Ge沟道的CMOS制备方法，包括以下步骤：步骤1：在清洗好的硅衬底上，采用超高真空化学气相沉积生长锗层；步骤2：将硅衬底立即放入MOCVD反应室中，第一次退火后，在锗层上依次生长低温成核砷化镓层、高温砷化镓层、在生长半绝缘InGaP层和砷化镓盖层，形成样品；步骤3：将样品取出，对砷化镓盖层进行砷化镓抛光工艺，并清洗MOCVD反应室和样品舟，将样品清洗后放入MOCVD反应室，第二次退火后生长nMOSFET结构；步骤4：在nMOSFET结构的表面，选区ICP刻蚀，从nMOSFET结构向下刻蚀到锗层，形成凹槽，并在凹槽内及nMOSFET结构的表面PECVD生长二氧化硅层；步骤5：在选区刻蚀的位置再次进行ICP刻蚀二氧化硅层到锗层，形成沟槽；步骤6：清洗样品，采用超高真空化学气相沉积的方法，在沟槽内生长锗成核层和锗顶层；步骤7：对锗顶层进行抛光，并去掉nMOSFET结构上的部分二氧化硅层；步骤8：在nMOSFET结构和锗顶层上进行源、漏和栅的CMOS工艺完成器件的制备。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
